[发明专利]使用PECVD沉积保形和低湿蚀刻速率的封装层的方法

权利要求书

1.一种处理容纳在处理室中的衬底的方法，所述方法包括：

在低于约400℃的衬底温度下将含硅前体和反应物引入所述处理室；

在引入所述含硅前体和所述反应物的同时点燃第一等离子体并对第一等离子体施以脉冲以产生自由基物质，以在所述衬底上形成含硅膜；以及

在形成所述含硅膜之后，执行后处理操作，所述后处理操作包括：

停止所述含硅前体的流和所述反应物的流；

将后处理气体引入所述处理室；以及

点燃第二等离子体以处理所述含硅膜，

其中在对所述第一等离子体的所述施以脉冲期间的每个脉冲的持续时间介于约0.02ms和约5ms之间。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一等离子体被施以脉冲介于500和2000之间的次数。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述后处理操作在所述含硅膜形成达到介于约20埃和约50埃之间的厚度之后进行。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二等离子体被点燃持续介于约10秒和约60秒之间的持续时间。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述含硅膜是氧化硅，并且经后处理的所述含硅膜在100：1氢氟酸溶液中具有约50埃/分钟的湿蚀刻速率。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述含硅膜是氮化硅，并且经后处理的所述含硅膜在100：1氢氟酸溶液中具有小于约20埃/分钟的湿蚀刻速率。

7.根据权利要求1-10中任一项所述的方法，其中所述第一和第二等离子体原位产生。

8.根据权利要求1-10中任一项所述的方法，其中使用双频等离子体发生器点燃所述第一和第二等离子体。

9.根据权利要求1-10中任一项所述的方法，其中使用单频等离子体发生器点燃所述第一和第二等离子体。

10.一种用于处理包含半导体材料的半导体衬底的装置，所述装置包括：

一个或多个处理室，其中至少一个处理室包括用于加热所述半导体衬底的加热基座；

等离子体发生器；

通向所述处理室的一个或多个气体入口和相关联的流控制硬件；以及

控制器，其具有至少一个处理器和存储器，其中所述至少一个处理器和所述存储器彼此通信地连接，

所述至少一个处理器至少与所述流控制硬件可操作地连接，以及

所述存储器存储用于控制所述至少一个处理器以至少通过以下操作控制所述流控制硬件的计算机可执行指令：

(i)将所述基座温度设定为低于约400℃的温度；

(ii)将所述含硅沉积前体和反应物引入所述一个或多个处理室；

(iii)当所述沉积前体和反应物被引入所述一个或多个处理室时，以脉冲方式点燃第一等离子体以形成含硅膜；以及

(iv)周期性地停止所述含硅沉积前体和所述反应物的流并将惰性气体引入所述一个或多个处理室，并点燃第二等离子体以处理所沉积的所述含硅膜。