[发明专利]一种上电复位电路

权利要求书

1.一种上电复位电路，其特征在于，包括偏置电流产生模块和上电复位模块，偏置电流产生模块的输出U_OUT1接上电复位模块的输入IN。

2.如权利要求1所述的上电复位电路，其特征在于：所述偏置电流产生模块包括：由第一PMOS晶体管P1、第一NMOS晶体管N1和第二NMOS晶体管N2构成的启动电路以及第二PMOS晶体管P2、第三PMOS晶体管P3、第三NMOS晶体管N3、第四NMOS晶体管N4和第一电阻R1构成的偏置电流电路；第一PMOS晶体管P1的源极接电源，栅极和漏极相连并与第一NMOS晶体管N1的漏极和第二NMOS晶体管N2的栅极相接；第一NMOS晶体管N1的源极接地，栅极与第四NMOS晶体管N4的栅极相接；第二NMOS晶体管N2的源极接地，漏极接第二PMOS管P2的漏极及第三NMOS管N3的漏极；第二PMOS晶体管P2的源极接电源，栅极和漏极连接并接第三PMOS晶体管P3的栅极；第三PMOS晶体管P3的源极接电源，漏极接第四NMOS晶体管N4的漏极并作为输出电压端Uout1；第三NMOS晶体管N3的漏极接第二PMOS晶体管P2的漏极，源极接地，栅极接第四NMOS晶体管N4的栅极；第四NMOS晶体管N4的漏极和栅极相连作为输出电压端Uout1，源极接第一电阻R1的一端，第一电阻R1的另一端接地。

3.如权利要求1或2所述的上电复位电路，其特征在于，所述上电复位模块包括第四PMOS晶体管P11、第五PMOS晶体管P12、第五NMOS晶体管N10、第二电阻R2、电容C1和反相器INV1；第五NMOS晶体管N10的栅极接输入IN，源极接地，漏极接第四PMOS晶体管P11的栅极和漏极以及第五PMOS晶体管P12的栅极；第四PMOS晶体管P11的源极接电源；第五PMOS晶体管P12的源极接电源，漏极接第二电阻R2和电容C1的一端以及反相器的输入；第二电阻R2和电容C1的另一端接地；反相器INV1的输出接输出U_OUT2。