[发明专利]显示装置及其制造方法在审
申请号: | 201710313425.1 | 申请日: | 2017-05-05 |
公开(公告)号: | CN107403746A | 公开(公告)日: | 2017-11-28 |
发明(设计)人: | 石井良典 | 申请(专利权)人: | 株式会社日本显示器 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L27/12;H01L27/32;G02F1/1333 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人: | 陈伟,闫剑平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及显示装置,特别是涉及能够使基板弯曲的柔性显示装置。
背景技术
有机EL显示装置或液晶显示装置通过减薄显示装置,能够柔性弯曲来使用。在该情况下,由薄玻璃或薄树脂形成用于形成元件的基板。片状的薄基板在制造工序中进行流水作业很难。例如,在玻璃基板的情况下,在工序流转时,以0.5mm左右的厚的基板进行流水作业,完成之后,对玻璃基板进行研磨来形成薄的基板,制成柔性显示装置。
另一方面,在由树脂形成基板的情况下,在玻璃基板上形成树脂薄片,将其作为显示装置的基板,在树脂薄片之上形成阵列层、发光层等。之后,通过激光烧蚀等将玻璃基板和树脂基板剥离,制成柔性显示器。这种结构记载于专利文献1中。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2004-349539号公报
通过激光烧蚀来剥离树脂和基板的方法因为是通过对玻璃基板和树脂基板的界面进行剥蚀来实现剥离,所以产生对树脂基板的损伤。当树脂基板受到损伤时,来自外部的水分等更容易侵入。另外,还存在因剥离时的应力等而柔性显示器弯曲等问题点。
发明内容
本发明的课题在于,以在完成后通过激光烧蚀将玻璃基板和树脂基板分离的方式形成的柔性显示器中,防止显示器的弯曲,且抑制水分从外部的侵入,实现可靠性高的柔性显示器。
本发明克服上述课题,代表性的技术方案如下。
(1)一种有机EL显示装置,在第一基板上形成有TFT,在所述TFT之上形成有有机EL层,所述有机EL显示装置的特征在于,在所述有机EL层之上形成有保护层,在所述第一基板的外侧形成有第一基底层。
(2)一种有机EL显示装置的制造方法,所述有机EL显示装置在第一基板上形成有TFT,在所述TFT之上形成有有机EL层,所述有机EL显示装置的制造方法的特征在于,在玻璃基板之上形成剥离层,在所述剥离层之上形成基底层,在所述基底层之上通过聚酰亚胺形成第一基板,在所述第一基板上形成所述TFT,在所述TFT之上形成有机EL层,在所述有机EL层之上形成保护层,之后,将所述玻璃基板与所述剥离层一同从所述第一基板剥离。
(3)一种液晶显示装置,在第一基板上形成有TFT和像素电极,与所述第一基板对置地配置有对置基板,在所述第一基板和所述第二基板之间夹持有液晶,所述液晶显示装置的特征在于,在所述第一基板的外侧形成有第一基底层。
(4)一种液晶显示装置的制造方法,所述液晶显示装置中,在第一基板上形成有TFT和像素电极,与所述第一基板对置地配置有对置基板,在所述第一基板和所述第二基板之间夹持有液晶,所述液晶显示装置的制造方法的特征在于,在第一玻璃基板之上形成第一剥离层,在所述第一剥离层之上形成第一基底层,在所述第一基底层之上,通过聚酰亚胺形成第一基板,在所述第一基板之上形成所述TFT和所述像素电极,在第二玻璃基板之上形成第二剥离层,在所述第二剥离层之上形成第二基底层,在所述第二基底层之上通过聚酰亚胺形成第二基板,在所述第一基板和所述第二基板之间封固液晶,之后,将所述第二玻璃基板与所述第二剥离层一同从所述第二基板剥离,将所述第一玻璃基板与所述第一剥离层一同从所述第一基板剥离。
附图说明
图1是有机EL显示装置的俯视图。
图2是图1的A-A剖视图。
图3是示出柔性显示装置的制造方法及其课题的剖视图。
图4是母基板的俯视图。
图5是示出本发明中的有机EL显示装置的制造工序例的流程图。
图6是示出本发明中的有机EL显示装置的制造工序的剖视图。
图7是带有玻璃基板的状态下的有机EL显示装置的剖视图。
图8是剥离了玻璃基板的状态下的有机EL显示装置的剖视图。
图9是示出AlOx的薄膜应力与溅射中的水分压之间的关系的图表。
图10是示出溅射中的水分压与制成膜后的AlOx的折射率之间的关系的图表。
图11是示出TFT基板的外侧的结构例的剖视图。
图12是示出TFT基板的外侧的结构例的其它例的剖视图。
图13是示出TFT基板的外侧的结构例的另一其它例的剖视图。
图14是液晶显示装置的俯视图。
图15是图14的B-B剖视图。
图16是示出本发明中的液晶显示装置的制造工序例的流程图。
图17是带有玻璃基板的状态下的液晶显示装置的剖视图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造