[发明专利]显示装置及其制造方法在审
申请号: | 201710313425.1 | 申请日: | 2017-05-05 |
公开(公告)号: | CN107403746A | 公开(公告)日: | 2017-11-28 |
发明(设计)人: | 石井良典 | 申请(专利权)人: | 株式会社日本显示器 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L27/12;H01L27/32;G02F1/1333 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人: | 陈伟,闫剑平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种有机EL显示装置,在第一基板上形成有TFT,在所述TFT之上形成有有机EL层,所述有机EL显示装置的特征在于,
在所述有机EL层之上形成有保护层,
在所述第一基板的外侧形成有第一基底层。
2.根据权利要求1所述的有机EL显示装置,其特征在于,
所述第一基底层由包含AlOx在内的层形成。
3.根据权利要求1所述的有机EL显示装置,其特征在于,
所述第一基底层为膜质不同的第一AlOx和第二AlOx的层叠构造。
4.根据权利要求1所述的有机EL显示装置,其特征在于,
在所述保护层之上形成有第二基板,
在所述第二基板的外侧形成有第二基底层。
5.根据权利要求4所述的有机EL显示装置,其特征在于,
所述第二基底层由包含AlOx在内的层形成。
6.一种有机EL显示装置的制造方法,所述有机EL显示装置在第一基板上形成有TFT,在所述TFT之上形成有有机EL层,所述有机EL显示装置的制造方法的特征在于,
在第一玻璃基板之上形成剥离层,
在所述剥离层之上形成基底层,
在所述基底层之上通过聚酰亚胺形成第一基板,
在所述第一基板上形成所述TFT,在所述TFT之上形成有机EL层,
在所述有机EL层之上形成保护层,
之后,将所述玻璃基板与所述剥离层一同从所述第一基板剥离。
7.根据权利要求6所述的有机EL显示装置的制造方法,其特征在于,
所述剥离层由Ti、Ni、Cu、Fe、Ag、Au、Cr、Mo、W等金属、或包含这些金属的合金形成。
8.根据权利要求6所述的有机EL显示装置的制造方法,其特征在于,
由AlOx形成所述基底层。
9.根据权利要求6所述的有机EL显示装置的制造方法,其特征在于,
由第一水分压下的第一AlOx和第二水分压下的第二AlOx的层叠构造形成所述基底层。
10.根据权利要求6所述的有机EL显示装置的制造方法,其特征在于,
所述剥离通过激光烧蚀进行。
11.一种液晶显示装置,
在第一基板上形成有TFT和像素电极,
与所述第一基板对置地配置有对置基板,
在所述第一基板和所述第二基板之间夹持有液晶,
所述液晶显示装置的特征在于,
在所述第一基板的外侧形成有第一基底层。
12.根据权利要求11所述的液晶显示装置,其特征在于,
所述第一基底层由包含AlOx在内的层形成。
13.根据权利要求11所述的液晶显示装置,其特征在于,
所述第一基底层为膜质不同的第一AlOx和第二AlOx的层叠构造。
14.根据权利要求11所述的液晶显示装置,其特征在于,
在所述第二基板的外侧形成有第二基底层。
15.根据权利要求14所述的液晶显示装置,其特征在于,
所述第二基底层由包含AlOx在内的层形成。
16.一种液晶显示装置的制造方法,在所述液晶显示装置中,
在第一基板上形成有TFT和像素电极,
与所述第一基板对置地配置有对置基板,
在所述第一基板和所述第二基板之间夹持有液晶,所述液晶显示装置的制造方法的特征在于,
在第一玻璃基板之上形成第一剥离层,
在所述第一剥离层之上形成第一基底层,
在所述第一基底层之上通过聚酰亚胺形成第一基板,
在所述第一基板之上形成所述TFT和所述像素电极,
在第二玻璃基板之上形成第二剥离层,
在所述第二剥离层之上形成第二基底层,
在所述第二基底层之上通过聚酰亚胺形成第二基板,
在所述第一基板和所述第二基板之间封固液晶,
之后,将所述第二玻璃基板与所述第二剥离层一同从所述第二基板剥离,
将所述第一玻璃基板与所述第一剥离层一同从所述第一基板剥离。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造