[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底上形成有栅极结构，所述栅极结构包括栅极以及位于栅极侧壁上的侧墙，所述栅极结构两侧的基底中形成有源漏掺杂区；

在所述侧墙的侧壁上形成牺牲层；

对所述源漏掺杂区进行预非晶化离子注入处理。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为：SiO₂、SiC或者SiON中的一种或者多种。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的厚度在30埃至150埃范围内。

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述牺牲层的步骤包括：

在所述基底以及栅极结构的侧壁和顶部上形成牺牲膜；

在所述牺牲膜上形成硬掩膜；

以所述硬掩膜为掩膜刻蚀所述牺牲膜，去除位于所述基底以及栅极结构顶部上的牺牲膜，形成所述牺牲层。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述牺牲膜的工艺为化学气相沉积工艺。

6.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除位于所述基底以及栅极结构顶部上的牺牲膜的工艺为干法刻蚀工艺。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述源漏掺杂区进行预非晶化离子注入处理的掺杂离子为：C、Ge或者Si中的一种或者多种。

8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述预非晶化离子注入处理的工艺参数包括：掺杂离子的注入能量为5kev至20kev，掺杂离子的注入剂量为4.0e13atom/cm²至2.3e15atom/cm²。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述栅极为金属栅极或者多晶硅栅极。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述源漏掺杂区之后，形成所述牺牲层之前，还包括：在所述基底以及栅极结构的侧壁和顶部上形成刻蚀停止层。

11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述刻蚀停止层的材料与所述牺牲层的材料不同。

12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述源漏掺杂区进行预非晶化离子注入处理之后，还包括：在所述源漏掺杂区顶部上形成与所述源漏掺杂区电连接的导电插塞。

13.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述基底包括：

衬底以及位于衬底上的多个分立的鳍部；

所述栅极横跨所述鳍部；

所述源漏掺杂区位于所述栅极两侧的鳍部中。

14.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底，所述基底上具有栅极结构，所述栅极结构包括栅极以及位于栅极侧壁上的侧墙；

牺牲层，位于所述侧墙的侧壁上；

源漏掺杂区，位于所述栅极结构两侧的基底中。

15.如权利要求14所述的半导体结构，其特征在于，所述牺牲层的材料为：SiO₂、SiC或者SiON中的一种或者多种。

16.如权利要求15所述的半导体结构，其特征在于，所述牺牲层的厚度在30埃至150埃范围内。