[发明专利]一种基片取放及转移装置

说明书

本发明公开了一种基片取放及转移装置，包括：第一取放组件、第二取放组件以及转移组件；第一取放组件的第一直线动子通过第一气缸带动第一真空吸盘，依次在初始位置、第一反应位置、第一取放位置之间往复运动；第二取放组件的第二直线动子通过第二气缸带动第二真空吸盘，依次在第二取放位置、第二反应位置之间往复运动，第二反应位置对应第二反应区设置；转移组件的基片支撑板设于第一取放位置和第二取放位置之间，转移组件的第三直线动子带动基片支撑板在第一取放位置和第二取放位置之间往复运动。本发明通过转移组件和第一、第二取放组件自动完成基片的转移及取放，避免了人工操作的低效率和危险性，可以实现基片安全、高效转移地转移及取放。

技术领域

本发明属于原子沉积薄膜制备领域，更具体地，涉及一种基片取放及转移装置，用于取放及转移制备原子层沉积薄膜的基片。

背景技术

随着半导体行业、集成电路的发展以及对微型器件的迫切需求，人们对薄膜技术提出了新的要求，即膜厚越来越小，均匀性越来越好等。而传统的沉积工艺，像物理气相沉积(PVD)，化学气相沉积(CVD)已经很难满足人们的使用需求。原子层沉积(ALD)是一种新兴的薄膜加工工艺，它是将气态前驱体以脉冲交替的形式通入到反应器中并与反应器中的基底发生吸附反应，最后形成一层单分子膜。因其薄膜生长具有自限制性，可以对薄膜的厚度进行精确控制，得到薄膜厚度均匀性良好和致密性良好的薄膜，广泛应用微纳制造、电子器件领域、催化剂领域、新能源领域、储能拆料，半导体领域。

传统的时间隔离原子层沉积在真空条件下进行，沉积环境清洁从而避免了杂质对薄膜的干扰，沉积所得薄膜纯度高、质量好。但随着消费电子等领域的快速发展，时间隔离原子层沉积制造工艺在沉积速率上难以适应在大批量大面积的场合实现高质量沉积的需求。时间隔离原子层沉积工艺每次沉积完成需要打开真空腔体，完成取样与重新放置样品后才能进行下一批基底的沉积。由于沉积过程不能连续进行，就不能满足大批量沉积的需求。空间隔离原子层沉积由于突破了时间隔离前驱体形式，可以加快运动速度来提高沉积效率，此项工艺便在需求大规模、连续沉积的场合显露出其高效沉积的优势。

目前的空间隔离原子层沉积多用于沉积单一种类薄膜，当需要沉积一定厚度的层叠状的多种薄膜时，需要基片在不同的反应区域之间进行转移。由于在沉积反应时基片的温度较高，使用手工操作完成基片取放及转移会比较危险，并且这种方式自动化程度较低，难以满足大规模、批量化、自动化薄膜制备的需求。

发明内容

针对现有技术的以上缺陷或改进需求，本发明旨在提供一种用于自动取放及转移制备原子层沉积薄膜的基片的机械装置，用来解决目前空间隔离原子层设备不能实现自动化的基片转移及取放的问题，提高了生产效率，同时可以避免手动转移和取放的危险操作。

为了达到上述目的，本发明提供了一种基片取放及转移装置，包括：第一取放组件、第二取放组件以及转移组件；

第一取放组件包括第一直线动子、第一气缸、第一真空吸盘；第一直线动子水平放置，第一气缸竖直安装于第一直线动子上；第一真空吸盘安装在第一气缸的伸缩杆顶部；其中，第一直线动子通过第一气缸带动第一真空吸盘，依次在初始位置、第一反应位置、第一取放位置之间往复运动，第一反应位置对应第一反应区设置；

第二取放组件包括第二直线动子、第二安装座、第二气缸、第二真空吸盘；第二直线动子水平放置，第二安装座安装于第二直线动子上，第二气缸竖直安装于第二安装座上；第二真空吸盘安装在第二气缸的伸缩杆顶部；其中，第二直线动子通过第二气缸带动第二真空吸盘，依次在第二取放位置、第二反应位置之间往复运动，第二反应位置对应第二反应区设置；

转移组件包括第三直线动子、基片支撑板；基片支撑板安装于第三直线动子上，基片支撑板上设有一个朝向第一反应区方向的开口，该开口的宽度大于第一真空吸盘和第二真空吸盘的宽度，小于基片的宽度；其中，基片支撑板设于第一取放位置和第二取放位置之间，第三直线动子带动基片支撑板在第一取放位置和第二取放位置之间往复运动，第一真空吸盘和第二真空吸盘的初始高度均低于基片支撑板。