[发明专利]金属辅助电极及使用其的显示器件的制造方法有效

专利信息
申请号: 201710309567.0 申请日: 2017-05-04
公开(公告)号: CN107093680B 公开(公告)日: 2019-01-22
发明(设计)人: 罗程远;刘则 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56;H01L51/52
代理公司: 北京律智知识产权代理有限公司 11438 代理人: 邢雪红;王卫忠
地址: 100015 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 金属 辅助 电极 使用 显示 器件 制造 方法
【说明书】:

本公开提供一种金属辅助电极及使用其的显示器件的制造方法。显示器件的金属辅助电极的制造方法包括:在显示器件的像素界定层的顶部形成至少一个凹槽;以及通过转印的方法在所述像素界定层的顶部形成金属辅助电极。通过凹槽结构可以有效的增大金属辅助电极与顶电极接触面积,减小接触电阻,提高电极导电性能;通过转印的方法形成金属辅助电极可以简化工艺流程。

技术领域

本公开涉及显示技术领域,具体而言,涉及一种金属辅助电极及使用其的显示器件的制造方法。

背景技术

OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)是近年来逐渐发展起来的显示照明技术,尤其在显示行业,由于其具有高响应、高对比度、可柔性化等优点,被视为拥有广泛的应用前景。尤其是顶发射OLED器件,由于具有更高的开口率,和利用微腔效应实现光取出优化等优点,成为研究的主要方向。由于采用的是顶发射结构,因此要求作为出光面OLED的顶电极必须具备良好的光透过率。目前,顶发射透明电极使用的多为薄金属、ITO、IZO等材料,其中金属由于透过率较差,薄化后作为大面积电极使用容易造成电阻增大,不利于大尺寸器件的开发。ITO、IZO等透明度高的材料,本身的导电性能弱于金属,因此现有技术中,将金属作为辅助电极,采用光刻的方法制作在非发光区域,提高顶电极的整体导电性,达到降低电阻的作用。但是这种光刻技术需要复杂的工艺,涉及多道掩膜板和曝光工序,而且由于其需要高温、光刻胶冲刷等工艺特点须避免对OLED器件发光层的损害,不适合作为量产手段。

转印技术由于可以做到精确图案印刷,方法简单,作为一种新型的技术收到业界的青睐,金属电路的制作可采用转印技术,通常方法是将金属膜制作在平面脱膜层上,再将涂布电路分布图案的粘性胶材的电路板与金属层对合,分离后使金属从脱膜层上剥离,以电路图案的形状粘结在电路板上,达到转印金属电路的效果,但是此种方案容易发生金属膜的片状剥离,造成多余的金属粘连,也是急需解决的技术问题。

此外,还需考虑接触电阻的问题。由于透明电极多为铟锌、铟锡的氧化物,其成膜过程中会产生氧或添加氧辅助成膜,使辅助电极表面产生氧化物绝缘层,导致导体接触的不连续性,会产生一个附加电阻,即接触电阻。接触电阻越高,造成的压降越大,释放的能量越多,会造成器件变暗,温度上升至一定极限,甚至会出现接触点损坏。减少接触电阻的主要方法有改善接触面材料和增大接触面积,其中,改善接触面材料往往引入更贵重材料,增加成本。因此,增大顶电极与辅助电极的接触面积应是主要考虑的对象。

因此,设计一种新的金属辅助电极的制作方法是目前亟待解决的技术问题。

发明内容

本公开的目的在于提供一种金属辅助电极及使用其的显示器件的制造方法,进而至少在一定程度上克服由于相关技术的限制和缺陷而导致的一个或者多个问题。

本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得清晰,或者部分地通过本公开的实践而习得。

根据本公开的第一方面,提供一种显示器件的金属辅助电极的制造方法,包括:

在显示器件的像素界定层的顶部形成至少一个凹槽;以及

通过转印的方法在所述像素界定层的顶部形成金属辅助电极。

在本公开的一种示例性实施例中,所述凹槽形状为矩形、倒梯形或半圆形。

在本公开的一种示例性实施例中,所述凹槽的深度为所述像素界定层高度的20%-50%。

在本公开的一种示例性实施例中,所述凹槽为两个。

在本公开的一种示例性实施例中,所述通过转印的方法在所述像素界定层的顶部形成金属辅助电极包括:

在第一平面载台上涂布胶黏剂,将所述像素界定层的顶部放置在第一平面载台上,使所述像素界定层的顶部粘有胶黏剂;

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