[发明专利]金属辅助电极及使用其的显示器件的制造方法有效
申请号: | 201710309567.0 | 申请日: | 2017-05-04 |
公开(公告)号: | CN107093680B | 公开(公告)日: | 2019-01-22 |
发明(设计)人: | 罗程远;刘则 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/52 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 邢雪红;王卫忠 |
地址: | 100015 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 金属 辅助 电极 使用 显示 器件 制造 方法 | ||
1.一种显示器件的金属辅助电极的制造方法,依次包括:
在显示器件的像素界定层的顶部形成至少一个凹槽;以及
通过转印的方法在所述像素界定层的顶部形成金属辅助电极;
其中所述通过转印的方法在所述像素界定层的顶部形成金属辅助电极包括:
在第一平面载台上涂布胶黏剂,将所述像素界定层的顶部放置在第一平面载台上,使所述像素界定层的顶部粘有胶黏剂;
在第二平面载台上制作脱膜层,在脱膜层上制作薄金属层,将粘有胶黏剂的所述像素界定层的顶部与薄金属层对合,并施加压力,使薄金属层粘结在所述像素界定层的顶部;以及
使薄金属层与脱膜层分离。
2.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述凹槽的深度为所述像素界定层高度的20%-50%。
3.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述凹槽为两个。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的制造方法,其特征在于,所述显示器件为有机电致发光显示器件。
5.一种显示器件的制造方法,依次包括:
在基板上形成TFT和像素界定层;
在所述像素界定层的顶部形成至少一个凹槽;
在所述TFT上形成发光层;
通过转印的方法在所述像素界定层的顶部形成金属辅助电极;以及
在所述显示器件表面上形成顶电极;
其中所述通过转印的方法在所述像素界定层的顶部形成金属辅助电极包括:
在第一平面载台上涂布胶黏剂,将所述像素界定层的顶部放置在第一平面载台上,使所述像素界定层的顶部粘有胶黏剂;
在第二平面载台上制作脱膜层,在脱膜层上制作薄金属层,将粘有胶黏剂的所述像素界定层的顶部与薄金属层对合,并施加压力,使薄金属层粘结在所述像素界定层的顶部;以及
使薄金属层与脱膜层分离。
6.根据权利要求5所述的制造方法,其特征在于,所述显示器件为有机电致发光显示器件。
7.一种显示器件的制造方法,依次包括:
在基板上形成TFT和像素界定层;
在所述像素界定层的顶部形成至少一个凹槽;
通过转印的方法在所述像素界定层的顶部形成金属辅助电极;
在所述TFT上形成发光层;以及
在所述显示器件表面上形成顶电极;
其中所述通过转印的方法在所述像素界定层的顶部形成金属辅助电极包括:
在第一平面载台上涂布胶黏剂,将所述像素界定层的顶部放置在第一平面载台上,使所述像素界定层的顶部粘有胶黏剂;
在第二平面载台上制作脱膜层,在脱膜层上制作薄金属层,将粘有胶黏剂的所述像素界定层的顶部与薄金属层对合,并施加压力,使薄金属层粘结在所述像素界定层的顶部;以及
使薄金属层与脱膜层分离。
8.根据权利要求7所述的制造方法,其特征在于,在所述形成金属辅助电极之后、所述形成发光层之前,使用激光照射所述金属辅助电极。
9.根据权利要求7或8所述的制造方法,其特征在于,所述显示器件为有机电致发光显示器件。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710309567.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择