[发明专利]OLED显示装置及其控制方法有效

专利信息
申请号: 201710305792.7 申请日: 2017-05-03
公开(公告)号: CN107026191B 公开(公告)日: 2020-05-26
发明(设计)人: 李昌峰;王海生;刘英明;丁小梁;许睿;赵利军;王鹏鹏;刘伟 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;G09G3/3208
代理公司: 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 代理人: 滕一斌
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: oled 显示装置 及其 控制 方法
【权利要求书】:

1.一种OLED显示装置,其特征在于,所述OLED显示装置包括:衬底基板,

所述衬底基板上的显示区域内设置有多个阵列排布的OLED,所述衬底基板上的显示区域内未设置有所述OLED的区域设置有触控电极,所述触控电极在所述衬底基板上的正投影位于所述OLED在所述衬底基板上的正投影外,所述触控电极与所述OLED显示装置中的触控IC相连接,且所述触控电极为自容式的单层电极;

所述衬底基板包括n个触控区域,所述n为大于或等于2的整数,所述衬底基板的每个所述触控区域内设置有:多个OLED,以及位于相邻的OLED的间隙处的触控电极;

所述衬底基板还包括:显示区域和非显示区域,所述显示区域包括所述n个触控区域;

所述衬底基板的所述非显示区域内设置有:与所述n个触控区域一一对应的n根连接导线,所述n根连接导线中的每根连接导线的一端与所述触控IC相连接,所述每根连接导线的另一端与对应的触控区域内设置的触控电极相连接,每个所述触控区域内设置有一个触控电极。

2.根据权利要求1所述的OLED显示装置,其特征在于,

设置有所述OLED的衬底基板上设置有薄膜封装层;

设置有所述薄膜封装层的衬底基板上设置有所述触控电极;

设置有所述触控电极的衬底基板上设置有绝缘层。

3.一种OLED显示装置的控制方法,其特征在于,用于控制权利要求1或2任一所述的OLED显示装置,所述方法包括:

在所述OLED显示装置的触控周期内,通过触控IC向所述OLED显示装置中的每个触控电极输入触控交流信号,并采集每个所述触控电极与地形成的电容,所述触控电极为自容式的单层电极;

根据采集到的电容,确定每个所述触控电极是否被触控,所述OLED显示装置包括衬底基板,所述衬底基板上的显示区域内设置有多个阵列排布的OLED,所述衬底基板上的显示区域内未设置有所述OLED的区域设置有触控电极,所述触控电极在所述衬底基板上的正投影位于所述OLED在所述衬底基板上的正投影外,所述衬底基板包括n个触控区域,所述n为大于或等于2的整数,所述衬底基板的每个所述触控区域内设置有:多个OLED,以及位于相邻的OLED的间隙处的触控电极,所述衬底基板还包括显示区域和非显示区域,所述显示区域包括所述n个触控区域,所述衬底基板的所述非显示区域内设置有:与所述n个触控区域一一对应的n根连接导线,所述n根连接导线中的每根连接导线的一端与所述触控IC相连接,所述每根连接导线的另一端与对应的触控区域内设置的触控电极相连接,每个所述触控区域内设置有一个触控电极。

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述OLED显示装置中的每个OLED均与显示控制单元相连接,所述方法还包括:

在所述触控周期内,通过所述显示控制单元向所述每个OLED的阴极输入与所述触控交流信号同步的显示交流信号;

在所述OLED显示装置的显示周期内,通过所述显示控制单元向所述每个OLED的阴极输入显示直流信号。

5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,

所述触控交流信号的幅值与所述显示交流信号的幅值相等。

6.根据权利要求4或5所述的方法,其特征在于,所述显示控制单元包括栅极驱动电路和显示IC,所述显示控制单元具有至少一个信号端,所述每个OLED通过一个像素电路与所述显示控制单元的至少一个信号端相连接,

在所述触控周期内,每个所述信号端上的信号均为交流信号;

在所述显示周期内,每个所述信号端上的信号均为直流信号。

7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述至少一个信号端包括电源信号端,

在所述触控周期内,所述每个OLED的阳极与所述电源信号端之间的通路处于关断状态;

在所述显示周期内的发光阶段,所述每个OLED的阳极与所述电源信号端之间的通路处于导通状态。

8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述像素电路包括八个晶体管和一个电容,所述至少一个信号端包括:复位端、基准电极端、栅线端、电源信号端、数据信号端、控制信号端、参考信号输入端和阴极端,

在所述触控周期内,所述八个晶体管中栅极与所述控制信号端相连接的晶体管处于关断状态;

在所述显示周期内的发光阶段,所述八个晶体管中栅极与所述控制信号端相连接的晶体管处于导通状态。

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