[发明专利]PVD氧化物涂层制备方法在审
申请号: | 201710305307.6 | 申请日: | 2017-05-03 |
公开(公告)号: | CN107365963A | 公开(公告)日: | 2017-11-21 |
发明(设计)人: | 赵海波;梁红樱 | 申请(专利权)人: | 四川大学 |
主分类号: | C23C14/32 | 分类号: | C23C14/32;C23C14/08 |
代理公司: | 成都虹桥专利事务所(普通合伙)51124 | 代理人: | 张竞 |
地址: | 610065 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | pvd 氧化物 涂层 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种PVD氧化物涂层制备方法,尤其是一种涉及氧化物涂层制备领域的氧化物涂层制备方法。
背景技术
在高速加工或干式切削过程中,切削温度成为影响涂层刀具使用寿命的主要原因,因此提高薄膜的高温性能、保证涂层刀具的红硬性成为近几年PVD(Physical Vapor Deposition) 技术的开发热点。PVD最常用的技术可以分为三大类:真空蒸发镀(Vacuum Evaporating)、磁控溅射(Magnetron Sputtering)、阴极电弧离子镀(Arc Ion Plating)。
通过PVD方法可以获得高硬度的涂层,目前的研究,其硬度达到3500HV以上并非不可能。但PVD的沉积温度通常位于600℃以下,在高温环境中,涂层的分解、硬度的下降不可避免。在不影响PVD整体制备技术路线的前提下,对PVD硬质涂层形成温度、热扩散保护是一种行之有效的方法。即在硬质涂层上建立一层同等级别的膜层(微米),隔绝温度的传导、元素的扩散,形成对硬质涂层的保护,延长涂层刀具的服役周期。
理论研究表明氧化铝类涂层具有良好的热阻断和化学耐磨性,因此自2000年以来,PVD 氧化物涂层的研究已逐步展开。PVD工艺运行在一个较低的温度条件下,要形成良好的氧化物涂层,会遇到的一些困难。例如低的沉积率、低的离化性,氧化物涂层的致密性、固溶性、结合性、导电性等问题。
对于PVD氧化铝类涂层的研究主要有瑞典的University、德国的Institute of Materials Research、University of Hannover、澳大利亚的Vienna University of Technology、瑞士的Institut de Physique de la Matière Condensée、日本的Nagaoka University of Technology、 Kobe Steel,LTD、中国的上海交通大学、法国的Nancy-University等。
利用PVD方法制备氧化物涂层是一项重大的技术突破。相对于氮化物涂层,氧化物涂层最大的特点是具有隔热性及化学惰性。隔热性可以对氮化物涂层等形成隔绝保护,而化学惰性则可隔断刀具与工件的相互扩散及化学磨损。按照魏德曼——弗莱茨定律(wiede mann-Franz Law),在不太低的温度下,金属的导热系数与电导率之比正比于温度。因此可以推论,良好的隔热性及化学惰性,取决于氧化物涂层的绝缘性。
对于PVD离子镀技术而言,其最基本的原理在于通过蒸发原子的离子化,在电场的作用下,促使正离子加速驶向待涂覆工件表面,从而获得理想的涂层结构及性能。此过程包含2 个概念,一是蒸发原子应更多的离化;二是待涂覆工件应为导体,以便电场的施加。
目前PVD氧化物的制备方法比较凌乱,大多以溅射方式为主,包括DC、MS、RF等,溅射源可以抑制材料靶面的“中毒”现象、多元成分溅射能力强。但由于离化率、离子能量相对较低,并不利于高品质氧化物涂层的生成。采用溅射方法制备氧化物涂层主要症结在于,氧化物与氮化物结合性欠佳,沉积速率太低,不利于实际应用。
AIP有助于离化的发生,对于O2也不例外,但在O2过量或原有的电场发生变化时,O2更易于在阴极靶面上发生反应,生成氧化物,从而造成阴极放电的失败,不能正常输出所需要的元素,即为“中毒”。目前PVD的氧化物以氧化铝主为,Al、AlTi材料相对更易与O2发生反应,因此常规的做法是在Al材料中添加一定含量的Cr,以阻止靶面的氧化。但氧化铬稳定性相对较差,会导致氧化物涂层性能的改变。
综上所述,采用现有技术的方法形成绝缘氧化物涂层存在以下几个问题:
一、O2更易于在阴极靶面上发生反应,生成氧化物,从而造成阴极放电的失败,不能正常输出所需要的元素,产生蒸发源材料靶面的“中毒”现象;
二、绝缘体正电荷的积聚所产生的电场阻碍了沉积的进行;
三、离子能量低,不足以实现金属氮化物到绝缘氧化物涂层的过渡,并获得良好的结合力;
四、在相对低的温度条件下,如何调控α-Al2O3的生长的问题。
由于以上原因,在现有技术的条件下,通常的离子镀技术并不适合绝缘氧化物涂层的制备。
发明内容
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