[发明专利]PVD氧化物涂层制备方法

权利要求书

1.PVD氧化物涂层制备方法，其特征在于：在采用阴极电弧离子镀进行离子沉积的同时利用复合磁场CAE增加弧斑密度、提高弧斑移动速度、增加弧斑径向移动幅度，利用复合磁场CAE脉冲控制技术或双极脉冲偏压技术消除绝缘体正电荷积聚产生的电场，利用复合磁场CAE轴向推进技术将镀膜材料的离子推进到待镀膜工件附近进行反应，通过复合磁场CAE控制离子的输出能量和沉积温度来控制绝缘氧化物涂层生长。

2.如权利要求1所述的PVD氧化物涂层制备方法，其特征在于：包括以下几个步骤：

A、将待镀膜工件放置于真空室中，然后对真空室抽真空；

B、送入40～60sccm的Ar气，并对真空室进行预加热；

C、电子束加热；

D、对待镀膜工件表面进行气体等离子刻蚀；

E、对工件表面进行镀膜；

F、对镀膜工件进行冷却处理。

3.如权利要求2所述的PVD氧化物涂层制备方法，其特征在于：所述预加热时间为39分钟至41分钟。

4.如权利要求2所述的PVD氧化物涂层制备方法，其特征在于：所述A步骤中抽真空后使真空室内压强小于5×10^-2Pa。

5.如权利要求2所述的PVD氧化物涂层制备方法，其特征在于：在C步骤中真空室压强调至(2.0～3.0)×10^-1Pa，Ar气流量调整为90～120sccm；打开灯丝电源，逐步升高灯丝电源的电流至170～230A；开启磁场电流，并将磁场电流调至12～20A；开启弧电源，将弧电源的电流逐渐加至180A。

6.如权利要求2所述的PVD氧化物涂层制备方法，其特征在于：在D步骤中，使灯丝电流维持在170～230A；弧电流减至100～120A；磁场电流减至6～8A；真空室压强调至(2.0～2.4)×10^-1Pa，Ar气流量50～60sccm，H₂气流量15～20，启开偏压电源，逐渐加电压至直流0～200V、脉冲300～500V。

7.如权利要求2所述的PVD氧化物涂层制备方法，其特征在于：在E步骤中采用8个阴极电弧源进行镀膜。

8.如权利要求2所述的PVD氧化物涂层制备方法，其特征在于：在E步骤中利用磁控溅射源植入单质元素。