[发明专利]承载装置、反应腔室及半导体加工设备

说明书

本发明提供一种承载装置、反应腔室及半导体加工设备，其包括可升降的基座，在该基座上竖直设置有沿其轴向对称分布的至少三个主支撑柱，主支撑柱的上端高于基座的上表面，用以承载托盘。并且，承载装置还包括保护组件，该保护组件用于在置于主支撑柱上的所述托盘倾斜时，阻挡该托盘的边缘。本发明提供的承载装置，其不仅可以避免托盘因滑落在基座上而碎裂，而且可以减小机械手与倾斜的托盘发生碰撞的风险。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，具体地，涉及一种承载装置、反应腔室及半导体加工设备。

背景技术

半导体工艺通常是在真空环境下进行的。例如：物理气相沉积(Physical VaporDeposition，PVD)中的磁控溅射工艺一般是在真空腔室中进行的，在该真空腔室中设置有基座，用于承载置于其上的衬底；同时，基座一般具有加热功能，能够对衬底进行加热和温度保持，以达到溅射工艺所需要的温度。常规的PVD工艺要求衬底温度在300℃以下，而AlNPVD工艺则要求衬底温度在600℃以上甚至更高。在高温条件下，用于承载衬底的托盘和与其接触的物件发生粘连的可能性会大大增加，对设备的稳定性造成极大的隐患。

图1为现有的反应腔室的局部结构图。如图1所示，反应腔室包括内衬1、压环2和承载装置。其中，承载装置包括可升降的基座4，在该基座4上设置有三个支撑柱5，支撑柱5的顶端用于承载托盘3。托盘3用于承载衬底。基座4能够上升至工艺位置A进行工艺，并且基座4在上升过程中，托盘3顶起压环2，以使压环2压住托盘3的边缘处，以起到固定托盘3的作用。此外，在基座4下降时，压环2由内衬1支撑。

在进行沉积工艺的过程中，会有薄膜镀在托盘3和压环2的接触面上，这使得在高温条件下，可能会导致托盘3在下降的过程中与压环2发生粘连，如图2所示，托盘3的一端粘连在压环2，另一端随基座4下移，最终托盘3会在重力作用下滑落在基座4上，从而有较大可能会导致托盘3碎裂，即使托盘3没有碎裂，当机械手进入反应腔室进行取走托盘3的动作时，机械手指会和倾斜的托盘3发生碰撞，对设备的稳定性造成极大的隐患。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种承载装置、反应腔室及半导体加工设备，其不仅可以避免托盘因滑落在基座上而碎裂，而且可以减小机械手与倾斜的托盘发生碰撞的风险。

为实现本发明的目的而提供一种承载装置，包括可升降的基座，在所述基座上竖直设置有沿其轴向对称分布的至少三个主支撑柱，所述主支撑柱的上端高于所述基座的上表面，用以承载托盘，还包括保护组件，所述保护组件用于在置于所述主支撑柱上的所述托盘倾斜时，阻挡所述托盘的边缘。

优选的，所述保护组件包括至少三个阻挡柱，各个阻挡柱一一对应地与各个所述主支撑柱连接，并且每个所述阻挡柱位于所述主支撑柱的远离所述基座中心的一侧，且所述阻挡柱的上端高于置于所述主支撑柱上的托盘的下表面，低于置于所述主支撑柱上的托盘的上表面。

优选的，所述保护组件包括环形阻挡件，所述环形阻挡件与所述主支撑柱连接，且所述环形阻挡件环绕在所述主支撑柱所在圆周的外围，且所述环形阻挡件的上端高于置于所述主支撑柱上的托盘的下表面，低于置于所述主支撑柱上的托盘的上表面。

优选的，还包括至少三个连接组件，各个连接组件与各个所述主支撑柱一一对应；所述连接组件用于将所述保护组件固定在所述主支撑柱上。

优选的，所述连接组件包括辅助支撑柱、连接件和固定件，其中，

所述辅助支撑柱竖直设置在所述基座上，且位于所述主支撑柱的远离所述基座中心的一侧；所述辅助支撑柱的上端低于所述主支撑柱的上端；

所述固定件分别与所述主支撑柱和所述辅助支撑柱连接；

所述连接件分别与所述固定件和所述保护组件连接。