[发明专利]干蚀刻设备及干蚀刻设备的电极

说明书

技术领域

本申请涉及一种干蚀刻设备及干蚀刻设备的电极。

背景技术

随着科技进步，具有省电、无幅射、体积小、低耗电量、平面直角、高分辨率、画质稳定等多项优势的液晶显示器，尤其是现今各式信息产品如：手机、笔记本电脑、数字相机、PDA、液晶屏幕等产品越来越普及，也使得液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)的需求量大大提升。因而推动了液晶显示面板行业的快速发展，面板的产量不断提升。蚀刻工艺是制造液晶显示面板的阵列基板过程中的一个重要步骤。蚀刻工艺根据蚀刻剂的物理状态分为干蚀刻工艺和湿蚀刻工艺，即干蚀刻工艺为利用蚀刻气体进行蚀刻的工艺，湿蚀刻工艺为利用蚀刻液体进行蚀刻的工艺。

在利用干蚀刻工艺进行阵列基板制造的过程中，理想状态下蚀刻气体(Process Gas)是在进气系统的吹力、抽气系统的吸力、电极板之间的电压等因素的作用下以完全垂直于待加工基板面的方向吹向待加工基板面。在整个加工过程中，在保证蚀刻气体的气压、气流的稳定的前提下，使整个加工过程中待加工基板面每个部分接触到相等的量的蚀刻气体、以期待加工基板各部分会以相同速率被处理，确保待加工基板各部分在加工过程中的加工均一性。

但是，由于腔室内部的角落一般为隔网或不装设任何组件，再加上蚀刻腔体内部设计结构以及排气系统设计等因素，导致在实际操作中蚀刻气体会向腔室内部的角落流动，四角落与其他位置蚀刻程度有落差，形成不适当的负载效应(Loading Effect)，使得待加工基板各个部分的蚀刻程度不同，造成待加工基板的各部分的加工均一性(Panel Uniformity)不佳，导致产品报废。

发明内容

为了解决上述技术问题，本申请的目的在于，提供一种干蚀刻设备及干蚀刻设备的电极，可以在不大幅改变现有干蚀刻流程的前提，提升蚀刻气体流动方向的均匀分布情形。

本申请的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本申请提出的一种干蚀刻设备的电极，所述干蚀刻设备的电极，包括：电极板，表面包括组件放置区及环绕所述组件放置区的边缘区；阻挡环设置在所述边缘区，位于所述组件放置区的外围；以及，隔板设置在所述电极板外侧，邻接所述阻挡环的外围，所述隔板具有多个穿孔。

本申请解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

在本申请的一实施例中，所述隔板以等间距、不等间距、局部等间距或无间隔的方式设置于所述阻挡环的外围。

在本申请的一实施例中，所述多个穿孔以均匀、不均匀、局部均匀的方式设置于所述隔板。

在本申请的一实施例中，所述多个穿孔的形状与大小是相同、相异或局部相同。

本申请的另一目为一种干蚀刻设备，包括：腔室；基台设置于所述腔室的内部；第一电极设置于所述基台上，表面包括组件放置区及环绕所述组件放置区的边缘区；阻挡环设置在所述边缘区位于所述组件放置区的外围；隔板设置在所述第一电极外缘，位于所述阻挡环的外围，所述隔板具有多个穿孔；第二电极设置于所述腔室的内部并与所述第一电极对向设置；进气口设置于所述腔室内侧，所述进气口的水平位置高于所述第一电极的水平位置；以及，抽气口设置于所述腔室内侧，所述抽气口的水平位置低于所述第一电极的水平位置。

本申请解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

在本申请的一实施例中，所述隔板以等间距、不等间距、局部等间距或无间隔的方式设置于所述阻挡环的外围。

在本申请的一实施例中，所述多个穿孔以均匀、不均匀、局部均匀的方式设置于所述隔板。

在本申请的一实施例中，所述多个穿孔的形状与大小是相同、相异或局部相同。

在本申请的一实施例中，所述抽气口设置于所述腔室的底部，与所述隔板的开口对向设置。

在本申请的一实施例中，所述抽气口设置于所述腔室的侧边，邻接所述隔板的开口。

本申请可以不大幅改变现有干蚀刻流程的前提，提升蚀刻气体流动方向的均匀分布情形，避免蚀刻气体持续朝向腔室内部的角落流动，减少待加工基板四角落与其他位置蚀刻程度有落差，降低不适当的负载效应产生情形，维持待加工基板的各部分的加工均一性，提升待加工基板的制造良率。

附图说明

图1a为范例性的干蚀刻设备的结构示意图。

图1b为范例性的干蚀刻设备的电极结构示意的俯视图。

图2为依据本申请的方法，一实施例应用于干蚀刻设备的电极结构示意的俯视图。