[发明专利]一种功率半导体器件终端结构及功率半导体器件

权利要求书

1.一种功率半导体器件的终端结构，其特征在于，包括基底和设置在基底上表面的复合钝化膜层；

所述复合钝化膜层包括：

复合在所述基底上表面的缓冲层；

复合在所述缓冲层表面的半绝缘多晶硅层；

复合在所述半绝缘多晶硅层表面的防护层。

2.根据权利要求1所述的终端结构，其特征在于，所述缓冲层的材料包括氧化硅、氧化钛和氧化铪中的一种或多种；

所述缓冲层的厚度为1～50nm；

所述防护层的材料包括氮化硅、富硅氮化硅和聚酰亚胺中的一种或多种；

所述防护层的厚度为50～200nm；

所述半绝缘多晶硅层的厚度为100～500nm。

3.根据权利要求1或2所述的终端结构，其特征在于，还包括，复合在所述防护层表面的聚合物层；

所述聚合物层的厚度为1～10μm。

4.根据权利要求3所述的终端结构，其特征在于，所述基底包括硅材料或掺杂的硅材料；

所述基底的厚度为50～800μm；

所述聚合物层的材料包括聚酰亚胺。

5.根据权利要求4所述的终端结构，其特征在于，所述半绝缘多晶硅的氧含量为15％～35％；

所述硅材料包括单晶硅、多晶硅、微晶硅、非晶硅和硅薄膜中的一种或多种；

所述掺杂的硅材料为硼、磷、镓和砷中的一种或多种掺杂的硅材料。

6.根据权利要求4或5所述的终端结构，其特征在于，所述基底上表面具有间隔分布的凹槽的结构；

所述复合钝化膜层具有间隔分布的凹槽的结构。

7.根据权利要求6所述的终端结构，其特征在于，所述基底上表面的凹槽为半圆形和/或半椭圆形凹槽；

所述复合钝化膜层的凹槽为倒梯形和/或倒三角形凹槽；

所述基底上表面的凸起与所述缓冲层之间具有氧化硅层。

8.根据权利要求7所述的终端结构，其特征在于，所述基底上表面的凹槽经由刻蚀LTO薄膜形成；

所述氧化硅层经由化学气相沉积、溅射和原子层沉积法中的一种或多种在所述基底上表面形成；

所述缓冲层经由化学气相沉积、溅射和原子层沉积法中的一种或多种在所述基底上表面形成；

所述半绝缘多晶硅层经由化学气相沉积法在所述缓冲层表面形成；

所述防护层经由化学气相沉积法在半绝缘多晶硅层表面形成。

9.根据权利要求8所述的终端结构，其特征在于，所述形成缓冲层的温度为500～800℃；

所述形成半绝缘多晶硅层的温度为600～650℃；

所述形成氧化硅层的温度为1000～1200℃。

10.一种功率半导体器件，其特征在于，包括权利要求1～9任意一项所述的功率半导体器件的终端结构。