[发明专利]半导体器件及制造半导体器件的方法

说明书

本公开涉及半导体器件及制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括：半导体基板，包括半导体；电极层，形成在所述半导体基板的第一表面侧上；导体层，形成在所述半导体基板的所述第一表面上；孔，形成为从所述半导体基板的第二表面穿过所述半导体基板和所述电极层至所述导体层；以及配线层，其形成于所述孔中，通过所述导体层在所述半导体基板的所述第一表面上方的一个位置电连接至所述电极层，并且延伸至所述半导体基板的所述第二表面，所述配线层通过设置在所述配线层和所述电极层之间的绝缘层从所述电极层物理分离。

本申请是申请日为2012年03月02日、申请号为201210052600.3、发明名称为“半导体器件及其制造工艺以及电子装置”的专利申请的分案申请。

技术领域

本公开涉及半导体器件及其制造工艺以及电子装置，特别涉及能够降低制造成本的半导体器件及其制造工艺以及电子装置。

背景技术

由CMOS(互补金属氧化物半导体)图像传感器代表的固态成像器件采用了WL-CSP(晶片级芯片尺寸封装)。WL-CSP涉及在从半导体基板切出芯片前形成端子并进行配线。

WL-CSP制造步骤包括这样一种工艺，通过该工艺形成从半导体基板的背面开口至半导体基板内的金属衬垫的细微纵孔(VIA)。纵孔的形成是极大地影响半导体元件的制造成本的工艺。

作为先有工艺，使用的是DRIE(深反应离子蚀刻)来在硅晶片中形成纵孔。然而，DRIE涉及高的装置成本。此外，DRIE需要光刻步骤，其中在向硅晶片表面涂布感光物质后使之图案状地曝光。

作为对策，已提出了使用利用激光钻孔的基板形成技术来在硅晶片中形成纵孔的工艺。使用激光钻孔的工艺通过照射激光束在基板中形成纵孔，不需要光刻步骤。此外，因为激光钻具比较便宜，所以激光钻孔工艺比起DRIE工艺，就制造成本而言，具有很大的优势。

然而，对于激光钻孔非常困难的是例如控制工艺的精度，以使钻孔过程在纵孔到达半导体基板内的金属衬垫时停止。

关于这一点，JP-A-2007-305995公开了这样一种半导体器件制造工艺，其在半导体基板内的金属衬垫上设置金属隆起，并通过激光钻孔形成到达金属隆起的纵孔。在该工艺中，金属隆起用作形成纵孔的激光钻孔的制止物。例如，将15μm厚镀镍用作金属隆起。

然而，如前述出版物中所公开那样将金属隆起用作激光钻孔的制止物，需要低激光输出，以避免穿透金属隆起。因此，纵孔加工需要花费长时间。同样需要花费长时间来形成用作金属隆起的15μm厚镀镍。在半导体基板中形成纵孔所需的长加工时间使制造成本增加。

可想到的是，增加金属隆起的厚度即使在高激光钻孔输出时将避免金属隆起的穿透。然而，厚金属隆起的形成增加了额外的时间。

因此，有必要通过降低纵孔加工时间来降低制造成本。

发明内容

因此，希望的是提供降低制造成本的方法。

本公开的一个实施例涉及一种半导体器件，其包括：半导体基板，包括半导体；电极层，形成在所述半导体基板的第一表面侧上；导体层，形成在所述半导体基板的所述第一表面上；孔，形成为从所述半导体基板的第二表面穿过所述半导体基板和所述电极层至所述导体层；以及配线层，其形成于所述孔中，通过所述导体层在所述半导体基板的所述第一表面上方的一个位置电连接至所述电极层，并且延伸至所述半导体基板的所述第二表面，所述配线层通过设置在所述配线层和所述电极层之间的绝缘层从所述电极层物理分离。