[发明专利]半导体器件及制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体基板，包括半导体；

电极层，形成在所述半导体基板的第一表面侧上；

导体层，形成在所述半导体基板的所述第一表面上；

孔，形成为从所述半导体基板的第二表面穿过所述半导体基板和所述电极层至所述导体层；以及

配线层，其形成于所述孔中，通过所述导体层在所述半导体基板的所述第一表面上方的一个位置电连接至所述电极层，并且延伸至所述半导体基板的所述第二表面，所述配线层通过设置在所述配线层和所述电极层之间的绝缘层从所述电极层物理分离。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述导体层由包括镍的材料制成。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其中，还包括框架层，其叠置在所述半导体基板的所述第一表面上，其中，所述框架层是将玻璃基板粘结至所述半导体基板的所述第一表面的密封剂。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述导体层包括银或铜。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述孔延伸进入所述导体层的一部分中。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述绝缘层设置为围绕所述孔中的所述配线层。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述绝缘层延伸到所述电极层的最上表面上方。

8.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述电极层包括铝、铜、钨、镍或钽，或它们的组合。

9.一种半导体器件，包括：

半导体基板，包括半导体；

电极层，形成在所述半导体基板的第一表面侧上；

导体层，形成在所述半导体基板的所述第一表面上；

孔，形成为穿过所述半导体基板和所述电极层；以及

配线层，其形成于所述孔中，在所述半导体基板的所述第一表面上方的一个位置电连接至所述电极层，并且形成为穿过所述半导体基板和所述电极层至所述导体层，所述配线层通过设置在所述配线层和所述半导体基板之间的绝缘层从所述半导体基板物理分离。

10.如权利要求9所述的半导体器件，其中，还包括框架层，其层叠在所述半导体基板的所述第一表面上，其中，所述框架层是将玻璃基板粘结至所述半导体基板的所述第一表面的密封剂。

11.如权利要求9所述的半导体器件，其中，所述绝缘层设置为围绕所述孔中的所述配线层。

12.如权利要求9所述的半导体器件，其中，所述绝缘层延伸到所述电极层的最上表面上方。

13.如权利要求9所述的半导体器件，其中，所述电极层包括铝、铜、钨、镍或钽，或它们的组合。

14.一种半导体器件，包括：

半导体基板，包括半导体；

电极层，形成在所述半导体基板的第一表面侧上；

阻止层，其是导体层，形成在所述半导体基板的所述第一表面上；

配线层，从所述阻止层延伸穿过所述电极层和所述半导体基板至所述半导体基板的第二表面；以及

终端，设置在所述半导体基板的所述第二表面上，以连接所述半导体器件的外侧，

其中，所述终端通过所述配线层和所述阻止层电连接至所述电极层，以及

其中，所述配线层通过设置在所述配线层和所述半导体基板之间的绝缘层从所述半导体基板物理分离。

15.如权利要求14所述的半导体器件，其中，还包括框架层，其叠置在所述半导体基板的所述第一表面上，其中，所述框架层是将玻璃基板粘结至所述半导体基板的所述第一表面的密封剂。