[发明专利]像素结构、显示面板及显示装置

权利要求书

1.一种像素结构，其特征在于，包括

基板；

平坦层，形成于所述基板上，所述平坦层由亲水性材料制备而成，所述平坦层具有与像素电极对应的凹槽，所述像素电极位于所述凹槽内；

像素界定层，形成于所述平坦层上，所述像素界定层由疏水性材料制备而成，所述像素界定层具有像素坑，相同颜色的所述像素电极位于同一个像素坑中；所述像素坑的内侧面与所述平坦层的交界线与所述像素电极之间设有缓冲区；所述交界线与所述像素电极之间的距离为2-10μm。

2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述平坦层的厚度大于等于所述像素电极的厚度。

3.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素界定层的厚度为0.8-2μm。

4.根据权利要求1-3任一项所述的像素结构，其特征在于，所述亲水性材料选自PVA、亲水性PI或氮化硅。

5.根据权利要求1-3任一项所述的像素结构，其特征在于，所述疏水性材料选自有机硅材料或疏水性PI。

6.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-5任一项所述的像素结构。

7.权利要求6所述的显示面板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、获取基板，于所述基板上沉积一层平坦层，所述平坦层的材质为亲水性材料，于所述平坦层上通过蚀刻形成凹槽；

S2、于所述凹槽内沉积像素电极；

S3、于所述平坦层上沉积像素界定层，所述像素界定层的材质为疏水性材料，并通过图形化工艺形成像素坑，相同颜色的所述像素电极位于同一个像素坑中；所述像素坑的内侧面与所述平坦层的交界线与所述像素电极之间设有缓冲区；

S4、于所述像素坑中采用印刷工艺沉积发光层；

S5、制作顶电极并封装，即得所述显示面板。

8.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求6所述的显示面板。

9.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，该显示装置为OLED或QLED。