[发明专利]半导体结构及其制造方法

说明书

本揭露实施例提供一种半导体结构及其制造方法。所述方法包含：提供第一衬底；形成多个导电接垫于所述第一衬底上方；形成薄膜于所述多个导电接垫的第一子集上，从而留下从所述薄膜暴露的所述多个导电接垫的第二子集；形成自组装单层SAM于所述薄膜上方；以及经由接合第二衬底的一部分到从所述薄膜暴露的所述多个导电接垫的所述第二子集，通过所述第一衬底与所述第二衬底，形成凹槽。

技术领域

本揭露实施例涉及半导体结构及其制造方法。

背景技术

对于许多现代应用来说，涉及半导体装置的电子设备是很重要的。材料与设计的技术进展已经产生数代半导体装置，每一代都比前一代具有更小且更复杂的电路。在进步与创新的过程中，通常会增加功能性设计(即每一芯片面积上的互连装置的数目)而降低几何尺寸(即使用制造过程可产生的最小组件)。此进展已增加处理与制造半导体装置的复杂度。

近来，已发展微机电系统(micro-electro mechanical system，MEMS)装置，并且也通常与电子设备有关。MEMS装置是微尺寸装置，通常为小于1微米至数毫米的范围。MEMS装置包括使用半导体材料的制造以形成机械与电性特征。MEMS装置可包括一些组件(例如静态或可动组件)，用于达到电机功能性。MEMS装置广泛使用于各种应用中。MEMS应用包括运动传感器、压力传感器、印刷喷嘴、或类似物。其它的MEMD应用包括惯性传感器，例如用于测量线性加速度的加速度计，以及用于测量角速度的陀螺仪(gyroscope)。再者，MEMS应用延伸至光学应用，例如可动的反射镜，以及无线射频(radio frequency，RF)应用，例如RF开关或类似物。

发明内容

本揭露的一些实施例提供一种制造半导体结构的方法，所述方法包含提供第一衬底；形成多个导电接垫于所述第一衬底上方；形成薄膜于所述多个导电接垫的第一子集(first subset)上，从而使所述多个导电接垫的第二子集(second subset)从所述薄膜暴露；形成自组装单层(SAM)于所述薄膜上；以及经由将第二衬底的一部分接合至从所述薄膜暴露的所述多个导电接垫的所述第二子集，通过所述第一衬底与所述第二衬底形成凹槽。

本揭露的一些实施例提供一种制造半导体结构的方法，所述方法包含提供第一衬底；形成导电突出物于所述第一衬底上方；形成含硅层于所述导电突出物上方；以及形成凹槽，所述凹槽包含可动膜，所述可动膜接近所述第一衬底。

本揭露的一些实施例提供一种半导体结构，包含凹槽，被一第一衬底与一第二衬底包围，所述第二衬底面对所述第一衬底；可动膜，位于所述凹槽中；突出物，位于所述凹槽中，所述突出物自所述第一衬底的表面突出；以及介电层，位于所述突出物上方，其中所述介电层包括第一表面与第二表面，所述第一表面接触所述突出物，以及所述第二表面面对所述第一表面且朝向所述凹槽。

附图说明

为协助读者达到最佳理解效果，建议在阅读本揭露实施例时同时参考附件图标及其详细文字叙述说明。请注意为遵循业界标准作法，本专利说明书中的图式不一定按照正确的比例绘制。在某些图式中，尺寸可能刻意放大或缩小，以协助读者清楚了解其中的讨论内容。

图1A为根据本揭露的一些实施例说明半导体装置的示意图。

图1B为根据本揭露的一些实施例说明图1A的半导体装置的局部放大示意图。

图2A至2G为剖面图，根据一些实施例说明图1A中的半导体结构的制造方法的中间结构。

具体实施方式