[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体结构的方法，所述方法包含：

提供第一衬底；

形成多个导电接垫于所述第一衬底上方；

形成薄膜于所述多个导电接垫的第一子集上，从而使所述多个导电接垫的第二子集从所述薄膜暴露；

形成自组装单层于所述薄膜上；以及

经由将第二衬底的一部分接合至从所述薄膜暴露的所述多个导电接垫的所述第二子集，以所述第一衬底与所述第二衬底形成凹槽。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述薄膜为含硅介电层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中形成薄膜于所述多个导电接垫的第一子集上另包含形成所述薄膜于所述多个导电接垫的所述第一子集的其中之一的侧壁上。

4.根据权利要求1所述的方法，其中形成自组装单层于所述薄膜上包含形成所述自组装单层于所述薄膜的顶表面与侧壁上。

5.根据权利要求1所述的方法，其中形成自组装单层于所述薄膜上包含：

毯式沉积所述自组装单层于所述第一衬底与所述薄膜上方；以及

对于所述第一衬底进行退火，从而从所述薄膜暴露所述多个导电接垫的所述第二子集。

6.根据权利要求1所述的方法，另包含形成可动膜于所述凹槽中。

7.根据权利要求6所述的方法，另包含形成所述自组装单层于所述可动膜的表面上。

8.根据权利要求1所述的方法，其中将所述第二衬底的一部分接合至从所述薄膜暴露的所述多个导电接垫的所述第二子集包含于所述部分与所述多个导电接垫的所述第二子集的其中的一者之间进行共晶接合。

9.根据权利要求1所述的方法，其中形成薄膜于所述多个导电接垫的第一子集上，从而使所述多个导电接垫的第二子集从所述薄膜暴露的步骤，包含图案化所述薄膜以暴露所述多个导电接垫的所述第二子集。

10.一种制造半导体结构的方法，所述方法包含：

提供第一衬底；

形成第一导电突出物及第二导电突出物于所述第一衬底上方；

形成含硅层于所述第一导电突出物上方，其中在所述含硅层形成於所述第一导电突出物上方後，所述含硅层不存在於所述第二导电突出物的上表面；

接合所述第一衬底至第二衬底，其中所述第二衬底的一部分接合至所述第二导电突出物的上表面；以及

形成凹槽，所述凹槽包含可动膜，所述可动膜接近所述第一衬底。

11.根据权利要求10所述的方法，其中形成凹槽包含接合所述第一衬底至所述第二衬底，所述凹槽形成于所述第一衬底与所述第二衬底之间，其中所述第一导电突出物位于所述凹槽中。

12.根据权利要求11所述的方法，其中接合所述第一衬底与所述第二衬底包括压缩接合与共晶接合其中一者。

13.根据权利要求10所述的方法，其中形成含硅层于所述第一导电突出物上方包含形成自组装单层。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述自组装单层为所述含硅层的最顶层，并且面向所述可动膜。

15.根据权利要求13所述的方法，另包含：

涂覆所述自组装单层于所述第一导电突出物与所述第一衬底的顶表面上方；以及

对于所述第一衬底与所述第一导电突出物进行热工艺。