[发明专利]一种阵列基板、显示装置及其制作方法

说明书

本发明公开了一种阵列基板、显示装置及其制作方法。其中，阵列基板包括衬底基板和位于衬底基板上方的低温多晶硅晶体管和氧化物晶体管；低温多晶硅晶体管包括层叠设置的多晶硅层和第一绝缘层，第一绝缘层包括氧化硅层以及氮化硅层，其中氮化硅层位于多晶硅层和氧化硅层之间；氧化物晶体管包括层叠设置的氧化物半导体层和第二绝缘层，第二绝缘层不含氮化硅层。通过上述方式，有效降低了低温多晶硅晶体管的漏电问题，同时提高氧化物晶体管的可靠性。

技术领域

本发明涉及平面显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板、显示装置及其制作方法。

背景技术

平面显示器件具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有的平面显示器件主要包括液晶显示器件(Liquid Crystal Display，LCD)及有机发光二极管显示器件(Organic Light Emitting Display，OLED)，而主动矩阵有机发光二极体(Active-matrix organic light emitting diode，AMOLED)在能耗、色彩饱和度、对比度、柔性应用等方面相对于LCD有显著优势，被广泛使用。

本申请的发明人在长期的研发中发现，由于主动矩阵有机发光二极体AMOLED面板为电流驱动，需要薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)具有较高的流动性。现有技术中，将低温多晶硅技术(Low Temperature Poly-silicon，LTPS)与氧化物薄膜电晶体管(Oxide TFT)相结合，将其制备在同一器件中。然而，在制备过程中，如果ILD膜层选择不当，则无法使多晶硅在氢化过程中得到充分的修复，最终导致漏电的后果，或者有过多的氢原子渗入氧化物半导体层，导致可靠度降低的问题。

发明内容

本发明主要解决的技术问题是提供一种阵列基板、显示装置及其制作方法，通过上述方式，有效降低了低温多晶硅晶体管的漏电问题，同时提高氧化物晶体管的可靠性。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种阵列基板，该阵列基板包括：衬底基板和位于衬底基板上方的低温多晶硅晶体管和氧化物晶体管，衬底上设置有显示区域和位于显示区域周围的非显示区域，低温多晶硅晶体管位于非显示区域内，氧化物晶体管位于显示区域内；低温多晶硅晶体管包括层叠设置的多晶硅层和第一绝缘层，第一绝缘层包括氧化硅层以及氮化硅层，其中氮化硅层位于多晶硅层和氧化硅层之间；氧化物晶体管包括层叠设置的氧化物半导体层和第二绝缘层，第二绝缘层不含氮化硅层。

为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种阵列基板的制备方法，该方法包括：在衬底基板上分别形成低温多晶硅晶体管和氧化物晶体管，衬底上设置有显示区域和位于显示区域周围的非显示区域，低温多晶硅晶体管位于非显示区域内，氧化物晶体管位于显示区域内；在衬底基板上方形成低温多晶硅晶体管包括：在衬底基板上依次形成多晶硅层和第一绝缘层，第一绝缘层包括氧化硅层以及氮化硅层，其中氮化硅层靠近多晶硅层；在衬底基板上方形成氧化物晶体管包括：在衬底基板上依次形成第二绝缘层和氧化物半导体层，第二绝缘层不含氮化硅层。

为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种显示装置，该显示装置包括上述的阵列基板，或者包括上述任意一项方法所制备的阵列基板。

本发明的有益效果是：通过在低温多晶硅晶体管中层叠设置多晶硅层和包括氧化硅层及氮化硅层的第一绝缘层，以在多晶硅层上形成氧化硅加氮化硅的结构，并在氮化硅层形成的过程中产生大量的氢键，使得多晶硅层在氢化过程中得到充分的修复，有效降低了低温多晶硅晶体管的漏电问题，同时，在氧化物晶体管中层叠设置氧化物半导体层和第二绝缘层，且第二绝缘层不含氮化硅层，使得氧化物半导体层不受氢键的影响，进而提高了氧化物晶体管的可靠性。

附图说明

图1是本发明阵列基板一实施方式的结构示意图；

图2是本发明阵列基板另一实施方式的结构示意图；