[发明专利]一种阵列基板、显示装置及其制作方法

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括衬底基板和位于所述衬底基板上方的低温多晶硅晶体管和氧化物晶体管，所述衬底上设置有显示区域和位于所述显示区域周围的非显示区域，所述低温多晶硅晶体管位于所述非显示区域内，所述氧化物晶体管位于所述显示区域内；

所述低温多晶硅晶体管包括层叠设置的多晶硅层和第一绝缘层，所述第一绝缘层包括氧化硅层以及氮化硅层，其中所述氮化硅层位于所述多晶硅层和所述氧化硅层之间；

所述氧化物晶体管包括层叠设置的氧化物半导体层和第二绝缘层，所述第二绝缘层不含氮化硅层；

所述阵列基板还包括位于所述多晶硅层与所述第一绝缘层之间的第三绝缘层以及位于所述氧化物半导体层上方的第四绝缘层；其中，所述第四绝缘层的材料为氧化硅或树脂，所述第四绝缘层覆盖在所述氧化物半导体层以及所述第二绝缘层上，用于将所述氧化物半导体层与其他金属层隔离，避免短路；

所述低温多晶硅晶体管还包括：

第一栅极，与所述多晶硅层相邻，位于所述第三绝缘层及所述第一绝缘层之间；

第一源极和第一漏极，位于所述第四绝缘层上方；

其中，部分所述第一源极和第一漏极分别通过所述第四绝缘层、第二绝缘层、第一绝缘层及第三绝缘层所设置的第一接触孔及第二接触孔，与所述多晶硅层电连接，且与所述第一栅极形成顶栅结构的低温多晶硅晶体管；

所述氧化物晶体管还包括：

第二栅极，与所述氧化物半导体层相邻，位于所述第三绝缘层及所述第二绝缘层之间；

第二源极和第二漏极，位于所述第四绝缘层上方；

其中，部分所述第二源极和第二漏极分别通过所述第四绝缘层所设置的第三接触孔及第四接触孔，与所述氧化物半导体层电连接，且与所述第二栅极形成底栅结构的氧化物晶体管。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二绝缘层与所述第一绝缘层中的所述氧化硅层为同一层。

3.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上分别形成低温多晶硅晶体管和氧化物晶体管，所述衬底上设置有显示区域和位于所述显示区域周围的非显示区域，所述低温多晶硅晶体管位于所述非显示区域内，所述氧化物晶体管位于所述显示区域内；

所述在衬底基板上方形成低温多晶硅晶体管包括：在所述衬底基板上采用图形化处理形成多晶硅层；在所述多晶硅层上沉积氧化硅和/或氮化硅以形成第三绝缘层；在所述第三绝缘层上沉积金属物质并采用图形化处理形成第一栅极及第二栅极，所述第一栅极与所述多晶硅层相邻，所述第二栅极与所述氧化物半导体层相邻；以自对准方式利用所述第一栅极形成所述多晶硅层与源极和漏极对应的连接区域；在所述第一栅极上形成第一绝缘层；所述第一绝缘层包括氧化硅层以及氮化硅层，其中所述氮化硅层靠近所述多晶硅层；

所述在衬底基板上方形成氧化物晶体管包括：在所述第二栅极上沉积氧化硅形成第二绝缘层；在所述第二绝缘层上采用图形化处理形成氧化物半导体层；在所述氧化物半导体层上沉积氧化硅形成第四绝缘层；所述第二绝缘层不含氮化硅层；

在所述第四绝缘层、第二绝缘层、第一绝缘层及第三绝缘层上开洞形成通往所述多晶硅层与源极和漏极对应的连接区域的第一接触孔和第二接触孔；

在所述第四绝缘层上开洞形成通往所述氧化物半导体层的第三接触孔和第四接触孔；

在所述第一接触孔和第二接触孔、所述第三接触孔和第四接触孔分别沉积透明金属层以形成第一源极和第一漏极、第二源极和第二漏极；

其中，所述第四绝缘层覆盖在所述氧化物半导体层以及所述第二绝缘层上，用于将所述氧化物半导体层与其他金属层隔离，避免短路。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，

所述第二绝缘层与所述第一绝缘层中的所述氧化硅层为同一层。

5.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1至2任一项所述的阵列基板，或者包括权利要求3至4中任意一项方法所制备的阵列基板。

6.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置为主动矩阵有机发光二极体AMOLED或TFT LCD显示装置。