[发明专利]半导体装置、半导体芯片以及半导体芯片的测试方法有效
申请号: | 201710293925.3 | 申请日: | 2017-04-28 |
公开(公告)号: | CN107393842B | 公开(公告)日: | 2022-05-13 |
发明(设计)人: | 政井英树 | 申请(专利权)人: | 拉碧斯半导体株式会社 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 闫小龙;郑冀之 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 芯片 以及 测试 方法 | ||
1.一种半导体装置,其特征在于,具有:
第一线;
信号处理电路,将进行信号处理而生成的第一输出信号向所述第一线送出;
第一短路用焊盘,连接于所述第一线;
第一输出焊盘;
输出线,连接于所述第一输出焊盘;
半导体芯片,包含第一开关,所述第一开关在接通状态时将所述第一线与所述输出线连接而在关断状态时切断所述第一线与所述输出线的连接;以及
第一布线,在所述半导体芯片的外部将所述第一短路用焊盘与所述第一输出焊盘短路。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,还包含安装有半导体芯片的膜状电路基板,其中,
所述第一布线形成于所述膜状电路基板。
3.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述第一布线为接合线。
4.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,
所述半导体装置为包含半导体芯片的晶圆级芯片尺寸封装WLCSP,
所述第一布线为所述WLCSP中的再布线层。
5.一种半导体芯片,具有测试模式和通常模式,包含:
信号处理电路,配置为生成第一~第n输出信号,其中,n为2以上的整数;
第一~第n输出焊盘;
第一~第n输出线,分别将所述信号处理电路与所述第一~第n输出焊盘连接,在所述通常模式下,来自所述信号处理电路的所述第一~第n输出信号分别经由所述第一~第n输出线从所述第一~第n输出焊盘输出;
短路用焊盘,形成于所述第一输出线;
共同输出线,所述共同输出线的一端连接于所述第一输出线;
第一~第n开关,所述第一开关连接在所述短路用焊盘与所述共同输出线之间,第二~第n开关的每一个分别连接在所述第二~第n输出线的对应的一个与所述共同输出线之间,并且,配置为分别根据所述开关的每一个何时被接通以及关断来将所述信号处理电路与所述共同输出线连接以及切断所述信号处理电路与所述共同输出线的连接;以及
测试控制部,配置为:对表示所述测试模式或所述通常模式的测试信号进行接收,在所述测试信号表示所述测试模式的情况下,将所述第一~第n开关依次择一地设定为接通状态,并且,在所述测试信号表示所述通常模式的情况下,将所述第一~第n开关全部固定为关断状态。
6.根据权利要求5所述的半导体芯片,还包含:
共同输出开关,形成于所述共同输出线;以及
接地开关,连接在所述共同输出线的另一端与接地电位之间,其中,
所述测试控制部还配置为:在所述测试信号表示所述测试模式的情况下,将所述共同输出开关设定为接通状态,并且,将所述接地开关设定为关断状态,并且,在所述测试信号表示所述通常模式的情况下,将所述共同输出开关设定为关断状态,并且,将所述接地开关设定为接通状态。
7.根据权利要求5所述的半导体芯片,其中,
所述短路用焊盘为第一短路用焊盘,
所述半导体芯片还包含分别形成于所述第二~第n输出线的第二~第n短路用焊盘。
8.根据权利要求5所述的半导体芯片,还包含:
第一电阻,连接在所述第一输出线与第一短路用焊盘之间;以及
第一输出电阻,连接在所述第一输出线与所述第一输出焊盘之间。
9.根据权利要求8所述的半导体芯片,其中,所述第一电阻的电阻值与所述第一输出电阻的电阻值相等。
10.一种半导体装置,包含:
根据权利要求6所述的半导体芯片;以及
布线,将所述短路用焊盘与所述第一输出焊盘连接。
11.根据权利要求10所述的半导体装置,还包含安装有所述半导体芯片的膜状电路基板,
其中,所述布线形成于所述膜状电路基板。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于拉碧斯半导体株式会社,未经拉碧斯半导体株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710293925.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种陶瓷基板封装的切割方法
- 下一篇:用于高电压应力施加的栅极保护
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造