[发明专利]一种阵列基板及制备方法、显示面板和显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板及制备方法、显示面板和显示装置。

背景技术

有源矩阵有机发光二极管(Active Matrix Organic Light-Emitting Diode，AM-OLED)具有自发光、亮度高、视角宽、对比度高、功耗低等一系列的优点，而受到人们广泛的关注。

如图1所示，现有的AM-OLED阵列基板一般采用3T1C的驱动方式，即每个子像素有3个薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)和1个存储电容Cst进行驱动。开关管T1将Data信号储存在存储电容Cst中，补偿管T2给驱动管T3提供补偿电流，驱动管T3给OLED提供电流，驱动AM-OLED发出相应的光。通常情况下，存储电容Cst足够大，才能保证开关管T1关闭时，驱动管T3管保持导通状态，维持AM-OLED的电流，驱动AM-OLED发出相应的光。

现有技术中，如图2所示，存储电容Cst由第一电极1和第二电极2组成，其中第二电极2设置在钝化层3上，为了增大存储电容Cst的电容值，以满足驱动电路的需求，一般存储电容Cst的第一电极1和第二电极2的面积会做的比较大。但是，存储电容Cst的第二电极2的面积做的比较大会严重降低显示器件的开口率，影响到显示面板的显示质量。

因此，如何在保证存储电容电容值基础上提高阵列基板的开口率是本领域技术人员亟待解决的技术问题。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种阵列基板及制备方法、显示面板和显示装置，用于实现在增大存储电容的电容值的基础上增大阵列基板的开口率，从而提高显示质量的问题。

因此，本发明实施例提供了一种阵列基板，包括：衬底基板、位于所述衬底基板上的像素电路，所述像素电路至少包括驱动晶体管、开关晶体管和第一电容；其中，所述第一电容的第一电极分别连接所述驱动晶体管的栅电极和所述开关晶体管的源极；

所述阵列基板还包括覆盖所述第一电容的所述第一电极的钝化层，且所述钝化层在与所述第一电容的所述第一电极对应的区域设置有凹槽；

所述第一电容的第二电极位于所述凹槽中，且所述第一电容的所述第二电极通过贯穿所述钝化层的过孔与所述驱动晶体管的源极相连。

较佳地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述像素电路中还包括第二电容；其中所述第一电容的第一电极复用为所述第二电容的第一电极，所述第二电容的第二电极位于所述第二电容的所述第一电极的下方。

较佳地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述驱动晶体管和所述开关晶体管中具有相同功能的膜层同层设置。

较佳地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，在所述驱动晶体管中，栅电极位于有源层的下方，源极和漏极位于有源层的上方。

较佳地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述第二电容的第二电极与所述栅电极同层设置。

较佳地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，还包括位于源极和漏极与所述有源层之间的刻蚀阻挡层，所述源极通过贯穿所述的刻蚀阻挡层的过孔与所述有源层电连接。

较佳地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述第二电容的第二电极与所述栅电极同层设置，或所述第二电容的第二电极与所述有源层同层设置。

相应地，本发明实施例还提供了一种显示面板，包括本发明实施例提供的上述阵列基板。

相应地，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述显示面板。

相应地，本发明实施例还提供了一种阵列基板的制备方法，包括：

在所述衬底基板上形成所述驱动晶体管和所述开关晶体管，且形成所述第一电容的第一电极的图形，其中所述第一电容的第一电极分别连接所述驱动晶体管的栅电极和所述开关晶体管的源极；

形成覆盖所述第一电容的所述第一电极的钝化层的图形，且所述钝化层在与所述第一电容的所述第一电极对应的区域设置有凹槽和贯穿所述钝化层的过孔；

在所述凹槽中形成所述第一电容的第二电极的图形，且所述第一电容的所述第二电极通过所述过孔与所述驱动晶体管的源极相连。

较佳地，在本发明实施例提供的上述阵列基板的制备方法中，采用半色调掩膜板或灰色调掩膜板形成所述钝化层的图形。