[发明专利]一种阵列基板及制备方法、显示面板和显示装置在审
申请号: | 201710293240.9 | 申请日: | 2017-04-28 |
公开(公告)号: | CN107039465A | 公开(公告)日: | 2017-08-11 |
发明(设计)人: | 苏同上;王东方;刘军;成军;袁广才 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 制备 方法 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,包括:衬底基板、位于所述衬底基板上的像素电路,所述像素电路至少包括驱动晶体管、开关晶体管和第一电容;其中,所述第一电容的第一电极分别连接所述驱动晶体管的栅电极和所述开关晶体管的源极;其特征在于:
所述阵列基板还包括覆盖所述第一电容的所述第一电极的钝化层,且所述钝化层在与所述第一电容的所述第一电极对应的区域设置有凹槽;
所述第一电容的第二电极位于所述凹槽中,且所述第一电容的所述第二电极通过贯穿所述钝化层的过孔与所述驱动晶体管的源极相连。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述像素电路中还包括第二电容;其中所述第一电容的第一电极复用为所述第二电容的第一电极,所述第二电容的第二电极位于所述第二电容的所述第一电极的下方。
3.如权利要求1或2所述的阵列基板,其特征在于,所述驱动晶体管和所述开关晶体管中具有相同功能的膜层同层设置。
4.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,在所述驱动晶体管中,栅电极位于有源层的下方,源极和漏极位于有源层的上方。
5.如权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述第二电容的第二电极与所述栅电极同层设置。
6.如权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,还包括位于源极和漏极与所述有源层之间的刻蚀阻挡层,所述源极通过贯穿所述的刻蚀阻挡层的过孔与所述有源层电连接。
7.如权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述第二电容的第二电极与所述栅电极同层设置,或所述第二电容的第二电极与所述有源层同层设置。
8.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1-7任一项所述的阵列基板。
9.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求8所述的显示面板。
10.一种如权利要求1-7任一项所述阵列基板的制备方法,其特征在于,包括:
在所述衬底基板上形成所述驱动晶体管和所述开关晶体管,且形成所述第一电容的第一电极的图形,其中所述第一电容的第一电极分别连接所述驱动晶体管的栅电极和所述开关晶体管的源极;
形成覆盖所述第一电容的所述第一电极的钝化层的图形,且所述钝化层在与所述第一电容的所述第一电极对应的区域设置有凹槽和贯穿所述钝化层的过孔;
在所述凹槽中形成所述第一电容的第二电极的图形,且所述第一电容的所述第二电极通过所述过孔与所述驱动晶体管的源极相连。
11.如权利要求10所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,采用半色调掩膜板或灰色调掩膜板形成所述钝化层的图形。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710293240.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:生产线及生产线用的生产流程
- 下一篇:一种集中型农业监控系统
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的