[发明专利]一种阵列基板及制备方法、显示面板和显示装置在审

专利信息
申请号: 201710293240.9 申请日: 2017-04-28
公开(公告)号: CN107039465A 公开(公告)日: 2017-08-11
发明(设计)人: 苏同上;王东方;刘军;成军;袁广才 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L27/32;H01L21/77
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 代理人: 郭润湘
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 阵列 制备 方法 显示 面板 显示装置
【权利要求书】:

1.一种阵列基板,包括:衬底基板、位于所述衬底基板上的像素电路,所述像素电路至少包括驱动晶体管、开关晶体管和第一电容;其中,所述第一电容的第一电极分别连接所述驱动晶体管的栅电极和所述开关晶体管的源极;其特征在于:

所述阵列基板还包括覆盖所述第一电容的所述第一电极的钝化层,且所述钝化层在与所述第一电容的所述第一电极对应的区域设置有凹槽;

所述第一电容的第二电极位于所述凹槽中,且所述第一电容的所述第二电极通过贯穿所述钝化层的过孔与所述驱动晶体管的源极相连。

2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述像素电路中还包括第二电容;其中所述第一电容的第一电极复用为所述第二电容的第一电极,所述第二电容的第二电极位于所述第二电容的所述第一电极的下方。

3.如权利要求1或2所述的阵列基板,其特征在于,所述驱动晶体管和所述开关晶体管中具有相同功能的膜层同层设置。

4.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,在所述驱动晶体管中,栅电极位于有源层的下方,源极和漏极位于有源层的上方。

5.如权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述第二电容的第二电极与所述栅电极同层设置。

6.如权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,还包括位于源极和漏极与所述有源层之间的刻蚀阻挡层,所述源极通过贯穿所述的刻蚀阻挡层的过孔与所述有源层电连接。

7.如权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述第二电容的第二电极与所述栅电极同层设置,或所述第二电容的第二电极与所述有源层同层设置。

8.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1-7任一项所述的阵列基板。

9.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求8所述的显示面板。

10.一种如权利要求1-7任一项所述阵列基板的制备方法,其特征在于,包括:

在所述衬底基板上形成所述驱动晶体管和所述开关晶体管,且形成所述第一电容的第一电极的图形,其中所述第一电容的第一电极分别连接所述驱动晶体管的栅电极和所述开关晶体管的源极;

形成覆盖所述第一电容的所述第一电极的钝化层的图形,且所述钝化层在与所述第一电容的所述第一电极对应的区域设置有凹槽和贯穿所述钝化层的过孔;

在所述凹槽中形成所述第一电容的第二电极的图形,且所述第一电容的所述第二电极通过所述过孔与所述驱动晶体管的源极相连。

11.如权利要求10所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,采用半色调掩膜板或灰色调掩膜板形成所述钝化层的图形。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710293240.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top