[发明专利]一种发光二极管芯片

说明书

本发明公开了一种发光二极管芯片，包括：半导体堆叠结构，半导体堆叠结构依次包括衬底、第一半导体层、多量子阱层、第二半导体层和电流扩展层，第一半导体层和第二半导体层的导电类型相反，半导体堆叠结构自电流扩展层至衬底方向具有开槽，且开槽底部裸露第一半导体层；位于开槽内、且形成于第一半导体层上的第一电极层；形成于电流扩展层背离衬底一侧的第二电极层，第二电极层包括第二电极引脚，及延伸方向相同、且垂直延伸方向排列的多个第二延伸体，第二延伸体的一端与第二电极引脚相连。本发明提供的技术方案，保证多量子阱层中的电流分布更加均匀，且被遮挡光子可以通过相邻两个第二延伸体之间的空隙出射，提高发光二极管芯片的发光亮度。

技术领域

本发明涉及发光二极管技术领域，更为具体的说，涉及一种发光二极管芯片。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode，LED)作为代替白炽灯和荧光灯的新一代环保光源，被广泛应用在照明、显示和背光等领域。与传统照明光源相比，LED具有效率高、能耗低、寿命长、无污染、体积小、色彩丰富等诸多优点。一般的，发光二极管芯片主要包括半导体堆叠结构，以及与半导体堆叠结构接触的P型电极和N型电极，半导堆叠结构依次包括有衬底、N型半导体层、多量子阱层、P型半导体层和电流扩展层，半导体堆叠结构上形成有台阶裸露出N型半导体层。其中，P型电极形成在电流扩展层背离P型半导体层一侧表面，以及，N型电极形成在台阶区域所裸露的N型半导体层表面上。现有的发光二极管芯片工作时，P型电极和N型电极之间注入的电流在多量子阱层中较为集中，导致发光二极管芯片的发光亮度降低；以及，由于面积较大的P型电极的对发光二极管芯片的出光进行遮挡，进一步降低了发光二极管芯片的发光亮度。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种发光二极管芯片，第二电极层包括第二电极引脚和多个第二延伸体，通过第二电极引脚和多个第二延伸体与第一电极层之间形成多个注入电流的通路，使得多量子阱层不同区域均有电流通过，保证多量子阱层中的电流分布更加均匀，提高发光二极管芯片的发光亮度；以及，通过优化第二延伸体的宽度，可以使光二极管芯片出射的光子，通过相邻两个第二延伸体之间的空隙出射，进一步提高发光二极管芯片的发光亮度。

为实现上述目的，本发明提供的技术方案如下：

一种发光二极管芯片，包括：

半导体堆叠结构，所述半导体堆叠结构依次包括衬底、第一半导体层、多量子阱层、第二半导体层和电流扩展层，所述第一半导体层和第二半导体层的导电类型相反，其中，所述半导体堆叠结构自所述电流扩展层至衬底方向具有开槽，且所述开槽底部裸露所述第一半导体层；

位于所述开槽内、且形成于所述第一半导体层上的第一电极层；

以及，形成于所述电流扩展层背离所述衬底一侧的第二电极层，其中，所述第二电极层包括第二电极引脚，及延伸方向相同、且垂直所述延伸方向排列的多个第二延伸体，所述第二延伸体的一端与所述第二电极引脚相连。

可选的，所述开槽与所述第二电极引脚相对设置；

其中，所述多个第二延伸体分布于所述开槽两侧。

可选的，在所述开槽任意一侧的所有所述第二延伸体，相邻两个所述第二延伸体之间的间距，自所述开槽向该侧的所述第二延伸体的方向上呈减小趋势；

或者，在所述开槽任意一侧的所有所述第二延伸体，任意相邻两个所述第二延伸体之间的间距相同。

可选的，在所述开槽任意一侧的所有所述第二延伸体，相邻两个所述第二延伸体之间的间距，自所述开槽向该侧的所述第二延伸体的方向上呈减小趋势，且相邻两个所述间距之间的差值相同。

可选的，在所述开槽任意一侧的所有所述第二延伸体，相邻两个所述第二延伸体之间的间距范围为10μm～50μm，包括端点值。