[发明专利]一种发光二极管芯片

权利要求书

1.一种发光二极管芯片，其特征在于，包括：

半导体堆叠结构，所述半导体堆叠结构依次包括衬底、第一半导体层、多量子阱层、第二半导体层和电流扩展层，所述第一半导体层和第二半导体层的导电类型相反，其中，所述半导体堆叠结构自所述电流扩展层至衬底方向具有开槽，且所述开槽底部裸露所述第一半导体层；

位于所述开槽内、且形成于所述第一半导体层上的第一电极层；

以及，形成于所述电流扩展层背离所述衬底一侧的第二电极层，其中，所述第二电极层包括第二电极引脚，及延伸方向相同、且垂直所述延伸方向排列的多个第二延伸体，所述第二延伸体的一端与所述第二电极引脚相连；

其中，所述多个第二延伸体分布于所述开槽两侧；以及，在所述开槽任意一侧的所有所述第二延伸体，所述第二延伸体在沿垂直所述延伸方向上的宽度，自所述开槽向该侧的所述第二延伸体的方向上呈增大趋势。

2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述开槽与所述第二电极引脚相对设置。

3.根据权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于，在所述开槽任意一侧的所有所述第二延伸体，相邻两个所述第二延伸体之间的间距，自所述开槽向该侧的所述第二延伸体的方向上呈减小趋势；

或者，在所述开槽任意一侧的所有所述第二延伸体，任意相邻两个所述第二延伸体之间的间距相同。

4.根据权利要求3所述的发光二极管芯片，其特征在于，在所述开槽任意一侧的所有所述第二延伸体，相邻两个所述第二延伸体之间的间距，自所述开槽向该侧的所述第二延伸体的方向上呈减小趋势，且相邻两个所述间距之间的差值相同。

5.根据权利要求3所述的发光二极管芯片，其特征在于，在所述开槽任意一侧的所有所述第二延伸体，相邻两个所述第二延伸体之间的间距范围为10μm～50μm，包括端点值。

6.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，在所述开槽任意一侧的所有所述第二延伸体，所述第二延伸体在沿垂直所述延伸方向上的宽度，自所述开槽向该侧的所述第二延伸体的方向上呈增大趋势，且相邻两个所述宽度之间的差值相同。

7.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，在所述开槽任意一侧的所有所述第二延伸体，所述第二延伸体在沿垂直所述延伸方向上的宽度范围为10nm～500nm，包括端点值。

8.根据权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于，位于所述开槽两侧的所述第二延伸体的数量相同。

9.根据权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述第一电极层包括第一电极引脚，及位于所述第一电极引脚和第二电极引脚之间、且沿所述第一电极引脚至第二电极引脚的方向延伸的第一延伸体，其中，所述第一延伸体与所述第一电极引脚相连。