[发明专利]对RF放大器的调节有效

专利信息
申请号: 201710289912.9 申请日: 2017-04-27
公开(公告)号: CN108123685B 公开(公告)日: 2021-05-11
发明(设计)人: L·福格特 申请(专利权)人: 意法半导体有限公司
主分类号: H03F1/02 分类号: H03F1/02;H03F1/30;H03F3/19;H03F1/56;H03F3/45
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华;张昊
地址: 法国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: rf 放大器 调节
【说明书】:

发明涉及对RF放大器的调节,例如,射频放大器(1)的电源和偏置级(4),该射频放大器的放大级(3)包括至少一个MOS晶体管,该MOS晶体管的控制端子被连接到输入端子(31),并且该MOS晶体管的第一导电端子被连接到输出端子(36),其中,所述晶体管的控制端子的偏置电压是受控的,其方式为同时以标称值调节该放大级的电源电压并且以标称值调节该放大级的偏置电流。

技术领域

本说明书总体上涉及电子电路,并且更具体地涉及对电源的调节以及对射频(RF)放大器的偏置。

背景技术

射频放大器被用于许多应用中以便放大各种数字和模拟信号。具体而言,此类放大器被高频率地用在用于传输无线电信号的应用中。

这些应用中传输频率(现已达到几十千兆赫)的提升以及其在低消耗应用中与COMS或BiCOMS技术集成对这些应用的生产过程产生了新的限制,特别是在偏置和消耗方面。

发明内容

一个实施例提出了一种RF放大器电路,该RF放大器电路完全或部分地克服了偏置和调节方法的缺点。

一个实施例提出了一种适用于在几十千兆赫下运行的高频应用的方案。

因此,一个实施例提供了射频放大器的电源和偏置级,该射频放大器的放大级包括至少一个MOS晶体管,该MOS晶体管的控制端子被连接到输入端子,并且该MOS晶体管的第一导电端子被连接到输出端子,其中所述晶体管的控制端子的偏置电压是受控的,其方式为同时以标称值调节该放大级的电源电压并且以标称值调节该放大级的偏置电流。

根据一个实施例,该电源级包括第一放大器,该放大器用于以参考值调节表示该晶体管的该第一导电端子的电压的信息,该第一放大器的输出端提供该偏置电压。

根据一个实施例,该放大级还包括第二放大器,该第二放大器用于以该参考电流调节表示该第一晶体管的该第一导电端子的电压的信息并且以参考电流调节该偏置电流,该第二放大器的输出端控制供应该偏置电流的电流源(N51)。

根据一个实施例,这些晶体管中的所有或部分是MOS晶体管。

根据一个实施例,这些晶体管中的所有或部分是双极型晶体管。

根据一个实施例,该参考电流是由具有固定值的电流源提供的。

一个实施例提供了一种RF放大器,包括:

放大级;以及

电源和偏置级。

一个实施例提供了一种电子电路,该电子电路集成有至少一个RF放大器。

附图说明

这些特征和优点以及其他将参照附图在以非限定方式给出的具体实施例的以下说明中进行详细说明,其中:

图1是RF放大器集成在其应用环境中的示例的简化方框图;

图2是带有经调节电压和电流的RF放大器的简化方框图;

图3以非常示意性的方式并且以方框的形式示出了RF放大器的放大级的一个实施例;

图4示出了RF放大器的电源和偏置级的实施例的电子电路图;

图5示出了RF放大器的电源和偏置级的另一个实施例的电子电路图;

图6是图5中所示的实施例的一个实际示例的更加具体的电子电路图;

图7以简化的方式并且以方框的形式示出了将电源和偏置级(调节/偏置)应用到差分RF放大器中;并且

图8以简化的方式并且具体而言以方框的形式示出了RF放大器的另一个实施例。

具体实施方式

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