[发明专利]对RF放大器的调节

权利要求书

1.一种射频RF放大器，包括：

输入端子；

输出端子；

电源和偏置级，包括具有耦合到所述输入端子的输出的第一放大器和具有耦合到电流源的输出的第二放大器；以及

放大级，包括：第一晶体管，具有耦合到所述输入端子的控制端子、以及耦合到所述输出端子的第一导电端子，其中所述电源和偏置级被配置为在所述第一晶体管的所述控制端子处产生偏置电压，以便同时将所述放大级的电源电压调节到第一电压以及将所述放大级的偏置电流调节到第一电流，其中所述第一放大器被配置为将所述第一晶体管的第一导电端子调节到所述第一电压，所述第一放大器被配置为在所述第一放大器的输出处提供所述偏置电压，其中所述第二放大器被配置为将所述偏置电压调节到所述第一电流。

2.根据权利要求1所述的RF放大器，其中所述放大级被配置为基于所述偏置电流的变化产生所述偏置电压。

3.根据权利要求1所述的RF放大器，其中第一电流是固定电流。

4.根据权利要求1所述的RF放大器，其中所述电流源包括第二晶体管，所述第二晶体管耦合到电源端子、并且具有耦合到所述第二放大器的输出的栅极。

5.根据权利要求4所述的RF放大器，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管是MOS晶体管。

6.根据权利要求4所述的RF放大器，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管是双极晶体管。

7.一种电路，包括：

射频RF放大级，包括第一晶体管，所述第一晶体管具有被配置为接收RF信号的栅极；以及

电源和偏置级，包括：

第一电流源，被配置为产生偏置电流、并且耦合到所述第一晶体管的第一导电端子，以及

第一放大器，具有：

第一输入，耦合至所述第一晶体管的第一导电端子，

第二输入，耦合到第一参考电压节点，所述第一参考电压节点被配置为接收第一参考电压，

输出，耦合到所述第一晶体管的栅极，所述第一放大器被配置为在所述第一放大器的输出处生成偏置电压并将所述偏置电压施加至所述第一晶体管的栅极，

第二晶体管，耦合在所述第一放大器的第一电源端子和所述第二输入之间，

第二放大器，具有耦合到所述第二晶体管的栅极的输出，所述第二放大器被配置为将所述第一放大器的所述第二输入调节到所述第一参考电压，以及

第二电流源，耦合在所述第二晶体管和第二电源端子之间，其中所述第一电流源包括耦合在所述第一电源端子和所述第一放大器的所述第一输入之间的第三晶体管，所述第三晶体管的栅极耦合到所述第二放大器的输出。

8.根据权利要求7所述的电路，其中所述第一放大器被配置为将所述第一晶体管的第一导电端子调节到所述第一参考电压。

9.根据权利要求8所述的电路，其中所述第一放大器被配置为根据所述偏置电流在所述第一晶体管的栅极处产生所述偏置电压。

10.根据权利要求7所述的电路，还包括：

第一电容器，耦合在所述第一晶体管的第一导电端子和第二电源端子之间；以及

第二电容器，耦合在所述第一放大器的输出和所述第二电源端子之间。

11.根据权利要求7所述的电路，其中所述第二电源端子耦合到地。

12.根据权利要求7所述的电路，其中：

第二放大器包括第四晶体管，所述第四晶体管的第一导电端子耦合到所述第二晶体管的第一导电端子，并且第二导电端子耦合到所述第二晶体管的栅极；以及

所述第一放大器包括第五晶体管，所述第五晶体管的第一导电端子耦合到所述第一晶体管的栅极，所述第五晶体管的第二导电端子耦合到所述第一晶体管的所述第一导电端子，以及所述第五晶体管的栅极耦合到所述第四晶体管的栅极，所述第五晶体管的栅极还耦合到第一参考电压节点。