[发明专利]阵列基板及包括此阵列基板的显示装置

说明书

本发明公开一种阵列基板及包括此阵列基板的显示装置，该阵列基板包含：一基板、一第一晶体管以及一光学调变层。第一晶体管设置于基板上且包含一第一半导体层，具有一第一通道区。一第一栅极对应第一半导体层设置，且一第一源极及一第一漏极分别电连接第一半导体层。第一源极与第一漏极之间具有一第一间隔，第一通道区对应第一间隔设置。一第一绝缘层设置于第一半导体层及第一栅极之间，且一第二绝缘层覆盖第一源极、第一漏极及第一通道区。光学调变层设置于第二绝缘层上，其中光学调变层与第一通道区至少部分重叠，且光学调变层的光密度(OD)值介于0.1到6之间。

技术领域

本发明涉及一种显示技术，且特别是涉及一种具有光学调变结构的阵列基板及显示装置。

背景技术

近年来，平面显示器具有轻薄短小及低耗电的特性而已广泛地被使用于电子装置(例如，手机及可携式电脑)中。现行的平面显示器包括液晶显示器(liquid crystaldisplay,LCD)及有机发光二极管(organic light-emitting diode,OLED)显示器。

在上述的平面显示器的阵列基板中，通常使用薄膜晶体管(thin filmtransistor,TFT)作为控制像素区的开关元件以及驱动电路中的驱动元件。近来，使用金属氧化物半导体(metal oxide semiconductor)作为主动层(或通道层)的薄膜晶体管由于具有高迁移率及高可见光穿透率而受到瞩目。

然而，上述金属氧化物半导体(例如，氧化铟镓锌(indium gallium zinc oxide,IGZO))容易因光线照射而影响薄膜晶体管的特性(例如，起始电压(threshold voltage))，因而降低平面显示器的品质。尽管现行的阵列基板中使用薄膜晶体管的金属栅极作为背光源的遮光层，却无法有效阻挡光线照射到通道层。

因此，有必要寻求一种新颖的阵列基板，其能够解决或改善上述的问题。

发明内容

为解决上述问题，本发明公开一种阵列基板，其包含：一基板、一第一晶体管以及一光学调变层。第一晶体管设置于基板上，且包含：一第一半导体层，第一半导体层具有一第一通道区；一第一栅极，第一栅极对应第一半导体层设置；一第一源极及一第一漏极，第一源极及第一漏极分别电连接第一半导体层，第一源极与第一漏极之间具有一第一间隔，第一通道区对应第一间隔设置；一第一绝缘层，第一绝缘层设置于第一半导体层及第一栅极之间；以及一第二绝缘层，第二绝缘层覆盖第一源极、第一漏极及第一通道区。光学调变层，光学调变层设置于第二绝缘层上，其中光学调变层与第一通道区至少部分重叠，且光学调变层的光密度(OD)值介于0.1到6之间。

本发明还公开一种显示装置，其包含：一图像显示元件以及一阵列基板。阵列基板包含：一基板、一第一晶体管以及一光学调变层。第一晶体管设置于基板上，且包含：一第一半导体层，第一半导体层具有一第一通道区；一第一栅极，第一栅极对应第一半导体层设置；一第一源极及一第一漏极，第一源极及第一漏极分别电连接第一半导体层，第一源极与第一漏极之间具有一第一间隔，第一通道区对应第一间隔设置；一第一绝缘层，第一绝缘层设置于第一半导体层及第一栅极之间；以及一第二绝缘层，第二绝缘层覆盖第一源极、第一漏极及第一通道区。光学调变层，光学调变层设置于第二绝缘层上，其中光学调变层与第一通道区至少部分重叠，且光学调变层的光密度(OD)值介于0.1到6之间。

附图说明

图1为本发明一些实施例的背通道蚀刻(back channel etch,BCE)式阵列基板剖面示意图；

图1-1为本发明一些实施例的蚀刻停止(etch stop,ES)式阵列基板剖面示意图；

图2为本发明一些实施例的背通道蚀刻式阵列基板剖面示意图；

图2-1为本发明一些实施例的蚀刻停止式阵列基板剖面示意图；

图3为本发明一些实施例的背通道蚀刻式阵列基板剖面示意图；