[发明专利]阵列基板及包括此阵列基板的显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于包含：

基板；

第一晶体管，该第一晶体管设置于该基板上，该第一晶体管包含：

第一半导体层，该第一半导体层具有一第一通道区；

第一栅极，该第一栅极对应该第一半导体层设置；

第一源极及第一漏极，该第一源极及该第一漏极分别电连接该第一半导体层，该第一源极与该第一漏极之间具有一第一间隔，该第一通道区对应该第一间隔设置；

第一绝缘层，该第一绝缘层设置于该第一半导体层及该第一栅极之间；以及

第二绝缘层，该第二绝缘层覆盖该第一源极、该第一漏极及该第一通道区；

光学调变层，该光学调变层设置于该第二绝缘层上；以及

第三绝缘层，作为平坦层，该第三绝缘层设置于该光学调变层与该第二绝缘层之间，

其中该光学调变层与该第一通道区至少部分重叠，且该光学调变层的光密度(OD)值介于0.1到6之间，

其中，该阵列基板还包含第二晶体管，设置于该基板上，该第二晶体管包含：

第二半导体层，该第二半导体层具有第二通道区；

第二栅极，该第二栅极与该第二半导体层部分重叠；

第二源极及第二漏极，该第二源极及该第二漏极分别电连接该第二半导体层，该第二源极与该第二漏极之间具有第二间隔，该第二通道区对应该第二间隔设置；

该第一绝缘层，设置于该第二半导体层及该第二栅极之间；以及

该第二绝缘层，覆盖该第二源极、该第二漏极及该第二通道区，

其中，且该光学调变层与该第二通道区不重叠。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于该第一半导体层的材料包括金属氧化物半导体、多晶硅及非晶硅的其中之一，该第二半导体层的材料包括金属氧化物半导体、多晶硅及非晶硅的其中之一。

3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于该基板包含显示区及周边区，该周边区位于该显示区之外，该第一晶体管及该第二晶体管都设置于该周边区。

4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于该基板包含显示区及周边区，该周边区位于该显示区之外，该第一晶体管及该第二晶体管都设置于该显示区。

5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于该基板包含显示区及周边区，该周边区位于该显示区之外，该第一晶体管设置于该周边区，该第二晶体管设置于该显示区。

6.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于该基板包含显示区及周边区，该周边区位于该显示区之外，该第一晶体管设置于该显示区，该第二晶体管设置于该周边区。

7.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于还包含第一电极层，该第一电极层电连接该第一源极或该第一漏极。

8.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于该光学调变层设置于该第一电极层及该第二绝缘层之间。