[发明专利]存取闪存模块的方法及相关的闪存控制器与记忆装置

说明书

本发明公开了一种存取闪存模块的方法及相关的闪存控制器与记忆装置。所述闪存模块是包含了多个闪存芯片的立体闪存模块，每一个闪存芯片包含了多个区块，每一个区块包含了多个数据页；以及所述方法包含有：规划所述多个闪存芯片以使得所述多个闪存芯片具有至少一个超级区块；以及指派一缓冲存储器空间以用来储存在一数据写入至所述至少一个超级区块的过程中所编码产生的多组暂时性的校验码。据此可以对数据写入错误、字符线断路以及字符线短路的数据读取错误进行更正，也可以大幅降低缓冲存储器的容量需求，且不需要浪费太多个空间储存校验码，降低的成本以及使用效率。

技术领域

本发明涉及闪存，尤其涉及一种存取闪存模块的方法及相关的闪存控制器与记忆装置。

背景技术

为了让闪存能够有更高的密度以及更大的容量，闪存的制程也朝向立体化的发展，而产生了几种不同的立体NAND型闪存(3D NAND-type flash)。在立体NAND型闪存中，由于整体结构的不同以及浮闸形状位置的改变，因此在数据的写入以及读取上也比传统的平面NAND型闪存多出了些许的问题。举例来说，在某些立体NAND型闪存中，会将多条字符线(word line)定义为一字符线组，而所述字符线组会共同具有部分的控制电路，进而导致当数据写入到所述字符线组的一条字符线的浮闸晶体管发生失败时(写入失败)，会连带导致所述字符线组的其他字符线的浮闸晶体管的数据发生错误；此外，如果所述字符线组中的一条字符线发生断路或短路的状况时，也会连带影响到所述字符线组的其他字符线的浮闸晶体管的数据发生错误，因此，如何就上述问题提出一种错误更正方式，以尽可能地维持数据的正确性，且又不会浪费内存空间以节省成本，是一个重要的课题。

发明内容

因此，本发明的目的的一在于提出一种存取一闪存模块的方法及相关的闪存控制器与记忆装置，其使用类似容错式磁盘阵列(Redundant Array of Independent Disks，RAID)的错误更正方式，但是却不会大幅浪费闪存空间，且在闪存控制器的处理过程中也仅需要很少量的缓冲存储器空间，以解决背景技术中的问题。

根据本发明的实施例，公开了一种存取一闪存模块的方法，其中所述闪存模块是立体闪存(3D NAND-type flash)模块，所述闪存模块包含了多个闪存芯片，每一个闪存芯片包含了多个区块，所述多个区块包含了多个多层式储存(Multiple-Level Cell，MLC)区块，每一个区块包含了多个数据页，每一个区块包含了分别位于多个不同平面的多条字符线以及位线来控制的多个浮闸晶体管，且每一条字符线的浮闸晶体管构成了所述多个数据页中的至少一数据页。以及所述方法包含有：对一数据进行编码以产生至少一组校验码，其中所述数据准备写入到所述多个闪存芯片的一超级区块(super block)中，其中所述超级区块包含了所述多个闪存芯片中每一个闪存芯片的一个多级单元区块；将所述数据写入至所述超级区块；将所述至少一组校验码写入暂存至一缓冲存储器中；以及从所述缓冲存储器读取出所述至少一组校验码，对所述至少一组校验码进行编码以产生至少一组最终校验码，将所述至少一组最终校验码写入至所述超级区块的一闪存芯片的多個数据页。