[发明专利]存取闪存模块的方法及相关的闪存控制器与记忆装置

权利要求书

1.一种存取闪存模块的方法，其特征在于，所述闪存模块是立体闪存模块，所述闪存模块包含了多个闪存芯片，每一个闪存芯片包含了多个区块，所述多个区块包含了多个多级单元区块，每一个区块包含了多个数据页；每一个区块包含了分别位于多个不同平面的多条字符线以及位线来控制的多个浮闸晶体管，且每一条字符线的浮闸晶体管构成了所述多个数据页中的至少一个数据页；以及所述方法包含：

对数据进行编码以产生至少一组校验码，其中所述数据是准备被写入到所述多个闪存芯片的超级区块中，其中所述超级区块包含了所述多个闪存芯片中每一个闪存芯片的一个多级单元区块；

将所述数据写入至所述超级区块；

将所述至少一组校验码写入暂存至缓冲存储器中；以及

从所述缓冲存储器读取出所述至少一组校验码，对所述至少一组校验码进行编码以产生至少一组最终校验码，将所述至少一组最终校验码写入至所述超级区块的闪存芯片的多个数据页；

其中所述立体闪存模块的每一个闪存芯片具有多个立体堆栈平面；设置于一个相同的立体堆栈平面上的所有字符线被归类于一个相同的字符线组；所有的字符线组被分类为奇数组的多个字符线组以及偶数组的多个字符线组；所述至少一组校验码被产生并相应于设置在与一个相同次序有关的多个特定字符线的资料，所述多个特定字符线被分别包含于不同的非相邻的多个字符线组内，且所述不同的非相邻的多个字符线组是所述奇数组的多个字符线组或是所述偶数组的多个字符线组。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，当所述数据发生写入错误或写入失败的情形时，所述的方法另包含：直接使用暂存在所述缓冲存储器中的所述至少一组校验码来对所述数据进行更正。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述数据写入至所述超级区块的过程中：自所述超级区块读取所述数据的已经写入至所述超级区块的部分内容；以及当读取所述数据的部分内容的过程中发生无法更正的错误时，自所述缓冲存储器读取出至少一部份的校验码，且使用所述至少一部份的校验码来对所读取的数据进行错误更正。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，依序对第1～N笔数据进行编码以产生第1～N组校验码，并将所述第1～N笔数据分别写入至所述超级区块的对应于所述多个闪存芯片的第1～N个数据页中,以及将所述第1～N组校验码写入至所述缓冲存储器。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述至少一组校验码是暂时性的校验码，且自第二超级区块读取第1～N组校验码，并根据所述第1～N组校验码来产生多组最终校验码，之后再将所述多组最终校验码写入至所述超级区块中。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，其中每一个区块中位于同一个平面上的多条字符线构成一个字符线组，且将所述多组最终校验码写入至所述超级区块的最后两个字符线组中对应于闪存芯片的数据页中。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多级单元区块是三级单元区块或四级单元区块。