[发明专利]可见光和紫外选择性光电探测器有效
| 申请号： | 201710283419.6 | 申请日： | 2017-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN106952968B | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | 黄晓敏 | 申请（专利权）人： | 黄晓敏 |
| 主分类号： | H01L31/02 | 分类号： | H01L31/02;H01L31/09 |
| 代理公司： | 深圳市精英专利事务所 44242 | 代理人： | 冯筠 |
| 地址： | 528000 广东省佛山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 紫外探测 可见光 光电探测器 可见光探测 紫外选择性 探测器结构 绝缘基板 器件结构 探测效率 功能层 沟道层 衬底 申请 优化 | ||
1.一种可见光和紫外选择性光电探测器，其特征在于，包含：
绝缘基板；
所述绝缘基板上设置第一电极，所述第一电极设置为薄膜晶体管的栅电极；
第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖在第一电极和绝缘基板未被第一电极覆盖的区域上；
氧化锌层，所述氧化锌层覆盖在第一绝缘层上，氧化锌层作为紫外探测部分功能层的同时作为薄膜晶体管的沟道层；
在所述氧化锌层上形成紫外探测部分的正极和负极、薄膜晶体管的源极和漏极；
覆盖在薄膜晶体管上的透明绝缘层，所述透明绝缘层上设置横向可见光探测部分；
所述横向可见光探测部分包括两个电极和所述两个电极之间的铜铟镓硒功能层；
所述负极与薄膜晶体管的源极或漏极相连，所述横向可见光探测部分的两个电极之中的一个电极与薄膜晶体管的漏极或源极相连。
2.如权利要求1所述的可见光和紫外选择性光电探测器，其特征在于，所述负极与薄膜晶体管的源极相连时，所述横向可见光探测部分的两个电极之中的一个电极与薄膜晶体管的漏极相连。
3.如权利要求1所述的可见光和紫外选择性光电探测器，其特征在于，所述负极与薄膜晶体管的漏极相连时，所述横向可见光探测部分的两个电极之中的一个电极与薄膜晶体管的源极相连。
4.如权利要求1所述的可见光和紫外选择性光电探测器，其特征在于，所述负极与所述横向可见光探测部分的两个电极之中的一个电极均与薄膜晶体管的源极相连。
5.如权利要求1所述的可见光和紫外选择性光电探测器，其特征在于，所述负极与所述横向可见光探测部分的两个电极之中的一个电极均与薄膜晶体管的漏极相连。
6.如权利要求1所述的可见光和紫外选择性光电探测器，其特征在于，所述光电探测器还包括形成在最上表面的氟化镁层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
