[发明专利]使用照相法制造的无芯片射频识别(RFID)

权利要求书

1.一种用于形成射频识别RFID装置的方法，包括：

把包括光敏化合物的层涂覆到衬底上，其中包括所述光敏化合物的层具有从5.0毫克每平方米mg/m²到150mg/m²的银浓度；

使包括所述光敏化合物的层的第一部分暴露于来自光源的光图案，以把包括所述光敏化合物的层的所述第一部分转化成金属层，而包括所述光敏化合物的层的第二部分保持不暴露于所述光图案；

去掉包括所述光敏化合物的层的所述第二部分并使所述金属层保留在所述衬底上；

由所述金属层形成RFID电路，其中由所述金属层形成所述RFID电路形成至少一种天线；以及

形成完成的RFID应答器，其中，在形成所述完成的RFID应答器之后，所述至少一种天线没有会增大或增强所述天线的导电性的附加的导电结构。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括通过从所述光源发射光通过图案化掩膜或标线，形成所述光图案。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括通过使用来自激光器的激光光束把所述光图案直接写到包括所述光敏化合物的层上，形成所述光图案。

4.根据权利要求1所述的方法，其中由所述金属层形成所述至少一种天线形成发射天线和接收天线中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的方法，其中由所述金属层形成所述RFID电路进一步包括由所述金属层形成多谐振器。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属层是具有从100纳米到800纳米的厚度的银层。

7.根据权利要求1所述的方法，其中包括所述光敏化合物的层具有从50mg/m²到150mg/m²的银浓度。

8.根据权利要求1所述的方法，其中包括所述光敏化合物的层具有从100mg/m²到150mg/m²的银浓度。

9.一种用于形成射频识别RFID装置的方法，包括：

把包括卤化银的层涂覆到衬底上，其中包括卤化银的层具有从5.0毫克每平方米mg/m²到150mg/m²的银浓度；

使包括所述卤化银的层的第一部分暴露于来自光源的光图案，以把包括所述卤化银的层的所述第一部分转化成金属层，而包括所述卤化银的层的第二部分保持不暴露于所述光图案；

去掉包括所述卤化银的层的所述第二部分并使所述金属层保留在所述衬底上；

形成RFID电路，其中所述RFID电路包括由所述金属层形成的至少一种天线；以及

形成完成的RFID应答器，其中，在形成所述完成的RFID应答器之后，所述至少一种天线没有会增大或增强所述天线的导电性的附加的导电结构。

10.根据权利要求9所述的方法，还包括通过从所述光源发射光通过图案化掩膜或标线，形成所述光图案。

11.根据权利要求9所述的方法，还包括通过使用来自激光器的激光光束把所述光图案直接写到包括所述卤化银的层上，形成所述光图案。

12.根据权利要求9所述的方法，其中所述金属层是具有从100纳米到800纳米的厚度的银层。

13.根据权利要求9所述的方法，其中包括所述卤化银的层具有从50mg/m²到150mg/m²的银浓度。

14.根据权利要求9所述的方法，其中包括所述卤化银的层具有从100mg/m²到150mg/m²的银浓度。

15.根据权利要求9所述的方法，其中由所述金属层形成所述RFID电路进一步形成多谐振器。