[发明专利]静电放电保护元件与静电放电方法

权利要求书

1.一种静电放电保护元件，包括：

第一阱区，位于基底中，所述第一阱区具有第一掺杂区、第二掺杂区以及第三掺杂区，其中该第二掺杂区、第一阱区及第三掺杂区构成第一晶体管；

第二阱区，位于所述第一阱区的一侧的所述基底中；

第四掺杂区，位于所述第二阱区中，所述第四掺杂区与所述第三掺杂区接触且其导电型态与所述第三掺杂区的导电型态相同；

第五掺杂区，位于所述第二阱区中，其中所述第五掺杂区、所述第二阱区以及所述基底构成第二晶体管，所述第二晶体管的导电型态与所述第一晶体管的导电型态互补；以及

第六掺杂区，位于所述第二阱区中，其中所述第五掺杂区位于所述第四掺杂区与所述第六掺杂区之间。

2.根据权利要求1所述的静电放电保护元件，其中所述基底、所述第一阱区、所述第一掺杂区、所述第五掺杂区具有第一导电型，且所述第二阱区、所述第二掺杂区、所述第三掺杂区、所述第四掺杂区以及所述第六掺杂区具有第二导电型。

3.根据权利要求1所述的静电放电保护元件，其中所述第二掺杂区位于所述第一掺杂区与所述第三掺杂区之间。

4.根据权利要求1所述的静电放电保护元件，其中所述第三掺杂区自相对所述第四掺杂区的一侧至接触所述第四掺杂区的另一侧的宽度对于所述第四掺杂区自接触所述第三掺杂区的一侧至相对所述第三掺杂区的另一侧的宽度的比值在1至4的范围中。

5.根据权利要求1所述的静电放电保护元件，还包括第一堆叠结构，位于所述第二掺杂区与所述第三掺杂区之间的所述第一阱区上，且包括依续堆叠于所述基底上的第一绝缘层与第一导体层。

6.根据权利要求1所述的静电放电保护元件，其中所述第一阱区的上视图案环绕所述第二阱区的上视图案。

7.根据权利要求6所述的静电放电保护元件，还包括第七掺杂区、第八掺杂区以及第九掺杂区，其中所述第一掺杂区、所述第二掺杂区以及所述第三掺杂区位于所述第二阱区的第一侧，且所述第七掺杂区、所述第八掺杂区以及所述第九掺杂区位于所述第二阱区的第二侧，且所述第一侧与所述第二侧彼此相对，所述第七掺杂区、所述第八掺杂区以及所述第九掺杂区构成另一晶体管，其导电型态与所述第一晶体管的导电型态相同。

8.根据权利要求7所述的静电放电保护元件，其中所述第六掺杂区自相对所述第七掺杂区的一侧至接触所述第七掺杂区的另一侧的宽度对于所述第七掺杂区自接触所述第六掺杂区的一侧至相对所述第六掺杂区的另一侧的宽度的比值在0.25至1的范围中。

9.一种静电放电方法，包括：

提供根据权利要求1所述的静电放电保护元件；

将所述第三掺杂区、所述第四掺杂区、所述第五掺杂区以及所述第六掺杂区电性耦接；

将所述第一掺杂区与所述第二掺杂区电性耦接；

使所述第三掺杂区、所述第四掺杂区、所述第五掺杂区以及所述第六掺杂区接收静电电压；

将所述第一掺杂区与所述第二掺杂区连接至接地电极；

依据所述静电电压，在第一时间区间内导通所述第一晶体管；以及

依据所述静电电压，在第二时间区间内导通所述第二晶体管，以使所述第一晶体管与所述第二晶体管宣泄静电电荷。

10.根据权利要求9所述的静电放电方法，其中所述第一时间区间的起始点与所述第二时间区间的起始点不同。