[发明专利]显示装置及制造该显示装置的方法有效
申请号: | 201710281314.7 | 申请日: | 2017-04-26 |
公开(公告)号: | CN107342373B | 公开(公告)日: | 2021-03-09 |
发明(设计)人: | 严东斌;黄智鸿;崔夏荣 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L27/32;H01L51/52;H01L23/00 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;刘铮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 制造 方法 | ||
公开了显示装置及制造显示装置的方法,所述方法包括如下步骤。准备衬底,该衬底的上表面上具有显示部。将具有开口的保护膜附接到衬底的下表面,使得保护膜与显示部重叠。将支承膜附接到所述下表面,使得支承膜布置在保护膜的开口内。将驱动电路芯片附接到所述上表面,使得驱动电路芯片与显示部和开口间隔开。去除支承膜的至少一部分。沿着开口的纵向方向弯曲衬底。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2016年5月3日提交到韩国知识产权局的第10-2016-0054692号韩国专利申请的优先权,该韩国专利申请的公开内容通过引用以其整体并入本文。
技术领域
本发明涉及显示装置和制造该显示装置的方法。
背景技术
显示装置包括划分成显示区域和非显示区域的衬底。在显示区域中,栅极线和数据线彼此绝缘,并且像素区域由彼此相交的栅极线和数据线来限定。在显示区域中设置在像素区域中的薄膜晶体管(TFT)和像素电极彼此电连接。显示区域中设置有各种导电层,例如,向显示区域传输电信号的布线。
发明内容
根据本发明示例性实施方式,制造显示装置的方法提供为如下。准备衬底,衬底的上表面上具有显示部。将具有开口的保护膜附接到衬底的下表面,使得保护膜与显示部重叠。将支承膜附接到所述下表面,使得支承膜布置在保护膜的开口内。将驱动电路芯片附接到所述上表面,使得驱动电路芯片与显示部和开口间隔开。去除支承膜的至少一部分。沿着开口的纵向方向弯曲衬底。
根据本发明示例性实施方式,显示装置提供为如下。具有第一区域、第二区域和位于第一区域与第二区域之间的弯曲区域的衬底被提供。弯曲区域弯曲成具有弯曲的下表面。显示部布置在衬底的第一区域的上表面上。保护膜布置在衬底的第一区域的下表面上,并且包括保护膜基底和第一粘合层。第二粘合层布置在衬底的弯曲区域的弯曲的下表面上。第二粘合层的硬度高于第一粘合层的硬度。保护膜具有暴露衬底的弯曲区域的弯曲的下表面的开口。
根据本发明示例性实施方式,制造显示装置的方法提供为如下。准备衬底,衬底的上表面上具有显示部。将具有开口的保护膜附接到衬底的下表面,使得保护膜与显示部重叠。保护膜包括保护膜基底和第一粘合层。将支承膜附接到所述下表面,使得支承膜布置在保护膜的开口内。支承膜包括支承膜基底和第二粘合层。将驱动电路芯片附接到衬底的上表面,使得驱动电路芯片与显示部和开口间隔开。去除支承膜来暴露第二粘合层,使得第二粘合层通过保护膜的开口暴露。沿着开口的纵向方向弯曲衬底,使得衬底具有与保护膜的开口重叠的弯曲表面。在暴露的第二粘合层上执行第一硬化工艺。
附图说明
通过参照附图详细描述本发明的示例性实施方式,本发明的这些特征和其它特征将变得更加显而易见,在附图中:
图1是部分地示出根据本发明示例性实施方式的显示装置的示意性立体图;
图2A至图12是用于描述制造图1的显示装置的工艺的示意性剖视图;
图13A至图13C是用于描述制造根据本发明示例性实施方式的显示装置的工艺的示意性剖视图;
图14A至图14D是可应用于根据本发明示例性实施方式的显示装置的支承膜的示意性剖视图;
图15是部分地示出根据本发明示例性实施方式的显示装置的示意性剖视图;
图15A是可应用于制造图15的显示装置的支承膜的示意性剖视图;
图16是部分地示出根据本发明示例性实施方式的显示装置的示意性剖视图;
图17A是部分地示出根据本发明示例性实施方式的显示装置的示意性剖视图;
图17B是部分地示出根据本发明示例性实施方式的显示装置的示意性剖视图;以及
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择