[发明专利]存取闪存模块的方法及相关的闪存控制器与记忆装置

权利要求书

1.一种存取一闪存模块的方法，其中所述闪存模块是一立体闪存模块，所述闪存模块包括了多个闪存芯片，每一个闪存芯片包括了多个区块，所述多个区块包括了多个多层式储存区块以及多个单层式储存区块，每一个区块包括了多个数据页；每一个区块包括了分别位于多个不同平面的多条字线以及位线来控制的多个浮闸晶体管，且每一条字在线的浮闸晶体管构成了所述多个数据页中的至少一数据页；以及所述方法包括有：对一数据进行编码以产生至少一组校验码，其中所述数据是准备写入到所述多个闪存芯片的一第一超级区块中，其中所述第一超级区块包括了所述多个闪存芯片中每一个闪存芯片的一个多层式储存区块；

将所述数据写入至所述第一超级区块；以及

将所述至少一组校验码写入至一第二超级区块中，其中所述第二超级区块包括了所述多个闪存芯片中每一个闪存芯片的一个单层式储存区块；

其中对所述数据进行编码以产生所述至少一组校验码的步骤包括有：

依序对第1～N笔数据进行编码以产生第1～N组校验码；

以及将所述数据写入至所述第一超级区块的步骤包括有：

将所述第1～N笔数据分别写入至所述第一超级区块的对应于所述多个闪存芯片的第1～N个数据页中；以及

将所述组校验码写入至所述第二超级区块的步骤包括有：

将所述第1～N组校验码写入至所述第二超级区块。

2.如权利要求1所述的方法，还包括有：

在所述数据写入至所述第一超级区块之前，先对所述数据进行编码以产生所述至少一组校验码，并将所述至少一组校验码储存至一闪存控制器的一缓冲存储器中；以及

当所述数据发生写入错误的情形时，直接使用储存在所述缓冲存储器中的所述至少一组校验码来对数据进行更正。

3.如权利要求1所述的方法，还包括有：

在所述数据写入至所述第一超级区块的过程中：

自所述第一超级区块读取所述数据的已经写入至所述第一超级区块的部分内容；

当读取所述数据的部分内容的过程中发生无法更正的错误时，自所述第二超级区块读取至少一部份的校验码，并使用所述至少一部份的校验码来对所读取的数据进行错误更正。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述至少一组校验码为一暂时性的校验码，且所述方法还包括有：

自所述第二超级区块读取所述至少一组校验码，并根据所述至少一组校验码来产生一组最终校验码；

将所述组最终校验码写入至所述第一超级区块中。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述至少一组校验码为一暂时性的校验码，且所述方法还包括有：

自所述第二超级区块读取所述第1～N组校验码，并根据所述第1～N组校验码来产生多组最终校验码；

将所述多组最终校验码写入至所述第一超级区块中。

6.如权利要求5所述的方法，其中每一个区块中位于同一个平面上的多条字线构成一个字线组，以及将所述多组最终校验码写入至所述第一超级区块的步骤包括有：

将所述多组最终校验码写入至所述第一超级区块的对应于所述多个闪存芯片的最后两个字线组所包括的数据页中。

7.如权利要求1所述的方法，还包括有：

在将所述组最终校验码写入至所述第一超级区块之后，在所述第一超级区块中所储存的所述数据仍然为有效的情形下，将所述第二超级区块的内容抹除或是标记为无效。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述多层式储存区块为三层式储存区块或是四层式储存区块。