[发明专利]一种消声下水管道及其制备方法在审
申请号: | 201710278467.6 | 申请日: | 2017-04-25 |
公开(公告)号: | CN107228234A | 公开(公告)日: | 2017-10-03 |
发明(设计)人: | 何祥炎;孙国政;周万波 | 申请(专利权)人: | 安徽索立德铸业有限公司 |
主分类号: | F16L9/14 | 分类号: | F16L9/14;F16L55/033;F16L58/04;C22C38/02;C22C38/04;C22C38/08;C22C38/10;C22C38/14;C22C38/12;C23C14/24;C08L83/07;C08L71/00;C08L71/02 |
代理公司: | 安徽信拓律师事务所34117 | 代理人: | 娄尔玉 |
地址: | 238200 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 消声 下水 管道 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及管体技术领域,具体涉及一种消声下水管道及其制备方法。
背景技术
随着城市化的不断推进,世界上会有越来越多的人居住在城市中,居住在城市的高楼大厦之中。排水系统作为楼宇正常运行的重要系统,与人们的生活息息相关。现有下水管道材质各式各样,有金属材质、有塑料材质,
安装在墙体内的下水管道水体流动时会产生较大的声响,特别是夜间,对于睡眠不好的人来说会带来诸多不便,因而如何降低下水管道在工作时产生的噪音成为制管过程中需要考虑的一个因素。
发明内容
本发明为解决上述问题,提供一种消声下水管道及其制备方法,使得管体内的水在流动时产生的声音减小到最低程度,不会因产生的噪音影响到住户。
本发明所要解决的技术问题采用以下的技术方案来实现:
一种消声下水管道,该下水管道由管道本体,涂覆在管道本体内壁上的消声层,蒸镀在管道本体外壁上的防护层构成。
所述管道本体由以下重量份百分比元素组成:碳0.20%-0.25%,硅0.03%-0.05%,锰0.04%-0.08%,锌0.02%-0.04%,镍0.02%-0.06%,钛0.05%-0.08%,钴0.05%-0.09%,镉0.04%-0.07%,钒0.04%-0.07%,余量为铁;
通过在管道本体上添加少量碳、硅、锰、锌、镍、钛、钴、镉、钒微量元素并控制各元素含量增加该管道本体的强度。
所述消声层由以下重量份的原料配制而成:玻璃纤维20-25份,聚醚多元醇10-15份,石墨8-10份,聚环氧乙烷5-10份,聚芳酯12-18份,乙烯基硅橡胶15-20份。
所述防护层为半导体层。
所述半导体层为碳化硅、氮化镓、硅中的一种或者他们的组合物。
所述管道本体、消声层、防护层厚度比为(30-40)∶2∶1。
一种消声下水管道制备方法,包括以下步骤:a.按照各原料配比混合均匀,熔融成形制备管道本体;b.在管道本体内壁上涂覆消声层;c.在管道本体外壁上蒸镀防护层。
在将消声层涂覆在管道本体内壁上、防护层蒸镀在管道本体外壁之前对管道表面进行打磨抛光处理。
所述消声层通过粘接剂涂覆在管道本体内壁上。
所述防护层是在氮气作为保护性气氛条件下蒸镀在管道本体外壁上。
本发明的有益效果为:通过在管道本体中添加少量微量元素并控制在一比例范围使得该管道具有足够的强度,在管道内壁上粘接消声层,管道内水体的流动时产生的声响通过消声层屏蔽,减少了对住户的噪声干扰,管道外壁上蒸镀的防护层使得管道外壁不易生锈腐蚀,延长了管道的使用寿命。
具体实施方式:
为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合实施例,进一步阐述本发明。
实施例1
一种消声下水管道,该下水管道由管道本体,涂覆在管道本体内壁上的消声层,蒸镀在管道本体外壁上的防护层构成。
所述管道本体由以下重量份百分比元素组成:碳0.20%,硅0.03%,锰0.04%,锌0.02%,镍0.02%,钛0.05%,钴0.05%,镉0.04%,钒0.04%,余量为铁;
所述消声层由以下重量份的原料配制而成:玻璃纤维20份,聚醚多元醇10份,石墨8份,聚环氧乙烷5份,聚芳酯12份,乙烯基硅橡胶15份。
所述防护层为半导体层。
所述半导体层为碳化硅、氮化镓、硅中的一种或者他们的组合物。
所述管道本体、消声层、防护层厚度比为30∶2∶1。
实施例2
一种消声下水管道,该下水管道由管道本体,涂覆在管道本体内壁上的消声层,蒸镀在管道本体外壁上的防护层构成。
所述管道本体由以下重量份百分比元素组成:碳0.23%,硅0.04%,锰0.06%,锌0.03%,镍0.04%,钛0.07%,钴0.07%,镉0.06%,钒0.05%,余量为铁;
所述消声层由以下重量份的原料配制而成:玻璃纤维23份,聚醚多元醇13份,石墨9份,聚环氧乙烷8份,聚芳酯15份,乙烯基硅橡胶18份。
所述防护层为半导体层。
所述半导体层为碳化硅、氮化镓、硅中的一种或者他们的组合物。
所述管道本体、消声层、防护层厚度比为35∶2∶1。
实施例3
一种消声下水管道,该下水管道由管道本体,涂覆在管道本体内壁上的消声层,蒸镀在管道本体外壁上的防护层构成。
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