[发明专利]一种消声下水管道及其制备方法在审
申请号: | 201710278467.6 | 申请日: | 2017-04-25 |
公开(公告)号: | CN107228234A | 公开(公告)日: | 2017-10-03 |
发明(设计)人: | 何祥炎;孙国政;周万波 | 申请(专利权)人: | 安徽索立德铸业有限公司 |
主分类号: | F16L9/14 | 分类号: | F16L9/14;F16L55/033;F16L58/04;C22C38/02;C22C38/04;C22C38/08;C22C38/10;C22C38/14;C22C38/12;C23C14/24;C08L83/07;C08L71/00;C08L71/02 |
代理公司: | 安徽信拓律师事务所34117 | 代理人: | 娄尔玉 |
地址: | 238200 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 消声 下水 管道 及其 制备 方法 | ||
1.一种消声下水管道,该下水管道由管道本体,涂覆在管道本体内壁上的消声层,蒸镀在管道本体外壁上的防护层构成。
所述管道本体由以下重量份百分比元素组成:碳0.20%-0.25%,硅0.03%-0.05%,锰0.04%-0.08%,锌0.02%-0.04%,镍0.02%-0.06%,钛0.05%-0.08%,钴0.05%-0.09%,镉0.04%-0.07%,钒0.04%-0.07%,余量为铁;
所述消声层由以下重量份的原料配制而成:玻璃纤维20-25份,聚醚多元醇10-15份,石墨8-10份,聚环氧乙烷5-10份,聚芳酯12-18份,乙烯基硅橡胶15-20份。
2.如权利要求1所述的一种消声下水管道,其特征在于:所述防护层为半导体层。
3.如权利要求2所述的一种消声下水管道,其特征在于:所述半导体层为碳化硅、氮化镓、硅中的一种或者他们的组合物。
4.如权利要求1所述的一种消声下水管道,其特征在于:所述管道本体、消声层、防护层厚度比为(30-40)∶2∶1。
5.一种消声下水管道制备方法,包括以下步骤:a.按照各原料配比混合均匀,熔融成形制备管道本体;b.在管道本体内壁上涂覆消声层;c.在管道本体外壁上蒸镀防护层。
6.如权利要求5所述的一种耐腐蚀下水道专用管道制备方法,其特征在于:在将消声层涂覆在管道本体内壁上、防护层蒸镀在管道本体外壁之前对管道表面进行打磨抛光处理。
7.如权利要求5所述的一种耐腐蚀下水道专用管道制备方法,其特征在于:所述消声层通过粘接剂涂覆在管道本体内壁上。
8.如权利要求5所述的一种耐腐蚀下水道专用管道制备方法,其特征在于:所述防护层是在氮气作为保护性气氛条件下蒸镀在管道本体外壁上。
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