[发明专利]气体供应线组件

说明书

技术领域

本公开的实施方式一般涉及基板处理设备，并且更具体的说，涉及一种气体供应线组件(gas feedthrough assembly)。

背景技术

一些化学气相沉积(Chemical vapor deposition，CVD)处理腔室采用电介质(例如，氧化铝)气体供应线来使处理气体从接地气体歧管流至电气耦接至射频(Radio Frequency，RF)电源的混合器。发明者已经观察到当金属有机前驱物气体流过这样一种气体供应线的管道时，前驱物气体在管道的内表面上热分解。由于分解的材料在内表面上的弱粘附性，在处理腔室中设置的基板上的沉积膜的品质受到了负面影响。

因此，发明者提供了改良的气体供应线组件的实施方式。

发明内容

本文公开了一种气体供应线组件和使用所述气体供应线组件的处理设备的实施方式。在一些实施方式中，气体供应线组件包括：电介质主体；延伸穿过所述电介质主体的至少一个通道；和设置在所述至少一个通道中的电介质管，其中所述通道的内直径大于所述电介质管的外直径使得在所述电介质管的外壁与所述通道的内壁之间形成间隙。

在一些实施方式中，处理腔室包括：腔室主体，所述腔室主体具有设置在处理容积中的基板支撑件；可移动地耦接至所述腔室主体的盖子；可移动地耦接至所述盖子的上表面的盖子歧管，所述盖子歧管具有中央通道和流体耦接至所述中央通道的至少一个气体供应入口；通过至少一个气体管线流体耦接至所述盖子歧管并具有至少一个气体源和气体入口歧管的气体板；以及设置在所述气体入口歧管与所述盖子歧管之间的气体供应线组件。气体供应线组件包括：电介质主体；延伸穿过所述电介质主体的至少一个通道；和设置在所述至少一个通道中的电介质管，所述电介质管具有流体耦接至并对应于所述至少一个气体管线的第一管道，其中所述通道的内直径大于所述电介质管的外直径使得在所述电介质管的外壁与所述通道的内壁之间形成间隙。

在一些实施方式中，气体供应线组件包括：氧化铝主体；延伸穿过所述氧化铝主体的通道；和设置在所述通道中的石英管并使第一通道穿过所述石英管设置；穿过所述氧化铝主体设置的第二管道，其中所述通道的内直径大于所述石英管的外直径使得在所述石英管的外壁与所述通道的内壁之间形成间隙。

本文公开的其他实施方式和变化在下文中论述。

附图说明

上文所简要概述的以及在下文中更详细论述的本公开内容的实施方式可以参考在附图中描绘的本公开内容的示例性实施方式来理解。然而，附图仅示出了本公开内容的典型实施方式，并且因此不应视为对本发明范围构成限制，因为本公开内容可允许其它等效实施方式。

图1描绘根据本公开内容的一些实施方式的示例性化学气相沉积腔室的简化横截面图。

图2A描绘根据本公开内容的一些实施方式的气体供应线组件的俯视横截面图。

图2B描绘沿着图2A的气体供应线组件的线B-B’截取的横截面图。

为了便于理解，已尽可能使用相同附图标记标示图中共有的相同元素。为了清楚的表示，附图未按比例绘制并且可能有所简化。一个实施方式的元素和特征可有益地并入其它实施方式而不再赘述。

具体实施方式

本文公开了气体供应线组件的实施方式。所公开的气体供应线组件有利地使在被处理基板上的缺陷最小化。示例性腔室诸如化学气相沉积(CVD)和金属化学气相沉积(MCVD)处理腔室是可以受益于发明的设备的腔室。可以根据本文所提供的教导改进的CVD处理腔室的实例包括和腔室，全部这些腔室可购自加利福尼亚州圣克拉拉市应用材料公司。处理基板的其他处理腔室亦可以获益于根据本文所提供的教导的改进，包括可购自其他制造商的处理腔室。

图1是示例性单基板CVD反应器100的横截面图。在一些实施方式中，并如图1所示出的，反应器100可以包括处理腔室150。处理腔室150一般包括底部组件154和上部组件152。

底部组件154包含腔室主体156，所述腔室主体具有部分界定处理腔室150内部的壁106。基板支撑组件111被设置在底部组件154中以用于在处理期间支撑基板(未示出)。基板支撑组件111可以包括加热器120，所述加热器120被配置以调节基板温度和/或处理腔室150的主处理容积118中的温度。加热器120耦接至电源116。基板支撑组件111耦接至升降机构130，诸如电动机或致动器，以升高和降低基板支撑组件111。