[发明专利]一种连接装置及半导体加工设备

说明书

本发明提供一种连接装置及半导体加工设备，所述连接装置通过将上连接件套设在石英管的外周壁上，将支撑部件与石英管底部固定连接，并容置于下连接件内，以支撑上连接件，并将与上连接件固定连接的下连接件与旋转升降机构固定相连，从而实现石英管与旋转升降机构固定连接，这样，无需额外设置腔室外罩，不但解决了石英管、石英轴套筒和腔室外罩之间安装精度要求高的问题，降低部件加工、安装难度，而且石英管在安装、使用过程中不再受到径向的应力，从而降低石英管碎裂的风险。

技术领域

本发明涉及半导体设备制造领域，具体涉及一种连接装置及半导体加工设备。

背景技术

CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积)方法，是一种利用不同气体在高温下相互反应来制备外延薄膜层的方法。可以通过CVD设备进行外延生长，即在单晶衬底(基片)上生长一层有一定要求的、与衬底晶向相同的单晶层。由于石英具有耐高温的优点，在多数CVD外延设备中，都采用石英作为腔室的衬里，此外，由于发泡石英还拥有隔热性能好的优点，通常用发泡石英连接旋转升降机构，达到与外界隔热的效果，减小高温腔室对旋转升降机构温度的影响，使得腔室中托板的旋转和升降运动更加稳定。但是发泡石英的物理性质较脆，其锐边和金属接触时容易发生崩边的情况，并且零件在加工、装配过程中会有误差，装配完成之后就会使石英件产生内应力，也容易使石英件碎裂，因此石英件及其连接的各个零件的加工难度和装配难度都会增大。

现有的一种用于连接石英腔与旋转升降机构的连接装置如图1所示，石英腔包括水平的腔室1和形成在腔室1下方的石英管2，石英轴9可以深入到腔室1内部，从而带动托板做旋转和升降运动。石英管2的外侧套装金属的石英轴套筒12，石英轴套筒12的上部固定在腔室外罩13上，石英轴套筒12的下部连接旋转升降机构8。石英轴套筒12的内壁为锥面，O圈4套在石英管2外侧，通过O圈压环11将O圈4压在石英轴套筒12的顶端，并用螺钉(图中未绘示)将O圈压环11与腔室外罩13拧紧，使O圈4卡在石英管2与石英轴套筒12的锥面之间，从而使石英管2与石英轴套筒12之间始终保持一定的间隙，可以将石英管2固定在石英轴套筒12中，并可以有效防止石英管2与金属的石英轴套筒12磕碰。

由于腔室1、石英轴套筒12均固定在腔室外罩13上，对腔室1、腔室外罩13和石英轴套筒12的加工和安装的精度要求较高，如果加工或安装误差过大，就会使石英管2与石英轴套筒12的轴心偏离较远，而当O圈压环11压紧O圈4时，O圈4对石英管2产生径向力，在安装过程中产生装配应力，长时间的使用或者频繁的拆装就会更加容易造成石英管2碎裂。

因此，亟需一种连接装置及半导体加工设备，以解决上述技术问题。

发明内容

本发明针对现有技术中存在的上述不足，提供一种连接装置及半导体加工设备，用以部分解决石英管、石英轴套筒和腔室外罩之间安装精度要求高，石英管易碎裂的问题。

本发明为解决上述技术问题，采用如下技术方案：

本发明提供一种连接装置，用于连接石英腔与旋转升降机构，所述石英腔包括竖直的石英管，所述石英管内设置石英轴，所述石英轴的底端与所述旋转升降机构相连，所述连接装置包括：依次设置的上连接件、支撑部件以及下连接件，所述石英轴容置在三者形成的空腔内，其中：

所述上连接件套设在所述石英管的外周壁上；

所述支撑部件与所述石英管底部固定连接，并容置于所述下连接件内，用于支撑所述上连接件；

所述下连接件与所述旋转升降机构固定相连，所述上连接件与所述下连接件通过固定件固定连接。

优选的，所述支撑部件的上半部呈圆锥台状，所述圆锥台的顶面外径与所述石英管的外径相等，所述圆锥台外径至上而下逐渐增大；

所述上连接件底部的内侧壁呈锥面，所述锥面与所述支撑部件的上半部相贴合。