[发明专利]一种连接装置及半导体加工设备有效
申请号: | 201710276882.8 | 申请日: | 2017-04-25 |
公开(公告)号: | CN108728819B | 公开(公告)日: | 2020-06-19 |
发明(设计)人: | 张峥 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C30B25/08;H01L21/67 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 连接 装置 半导体 加工 设备 | ||
1.一种连接装置,用于连接石英腔与旋转升降机构,所述石英腔包括竖直的石英管,所述石英管内设置石英轴,所述石英轴的底端与所述旋转升降机构相连,其特征在于,所述连接装置包括:依次设置的上连接件、支撑部件以及下连接件,所述石英轴容置在三者形成的空腔内,其中:
所述上连接件套设在所述石英管的外周壁上;
所述支撑部件与所述石英管底部固定连接,并容置于所述下连接件内,用于支撑所述上连接件;
所述下连接件与所述旋转升降机构固定相连,所述上连接件与所述下连接件通过固定件固定连接。
2.如权利要求1所述的连接装置,其特征在于,所述支撑部件的上半部呈圆锥台状,所述圆锥台的顶面外径与所述石英管的外径相等,所述圆锥台外径至上而下逐渐增大;
所述上连接件底部的内侧壁呈锥面,所述锥面与所述支撑部件的上半部相贴合。
3.如权利要求2所述的连接装置,其特征在于,所述上连接件底部的内侧壁与所述支撑部件的上半部之间设置有垫环,所述垫环为硅胶垫环。
4.如权利要求2所述的连接装置,其特征在于,所述支撑部件的下半部呈球状;
所述下连接件的上半部设置有与所述支撑部件的下半部相匹配的碗状结构,所述支撑部件的下半部容置于所述碗状结构中,所述下连接件能够与所述支撑部件沿弧度方向产生相对位移。
5.如权利要求4所述的连接装置,其特征在于,所述碗状结构的内表面水平设置有至少两个凹槽,所述凹槽内容置有O圈,所述凹槽的深度小于所述O圈的厚度。
6.如权利要求1-5任一项所述的连接装置,其特征在于,所述上连接件底部还设置有第一水平沿,所述下连接件顶部设置有与所述第一水平沿相对应的第二水平沿,所述第一水平沿与所述第二水平沿通过所述固定件连接。
7.如权利要求1-5任一项所述的连接装置,其特征在于,所述上连接件呈筒状,且所述上连接件的内径与所述石英管的外径相同。
8.如权利要求7所述的连接装置,其特征在于,上连接件由铝合金或不锈钢材料制成。
9.一种半导体加工设备,其特征在于,包括:石英腔、旋转升降机构和如权利要求1-8任一项所述的连接装置。
10.如权利要求9所述的半导体加工设备,其特征在于,所述石英腔还包括与所述石英管相连的水平设置的腔室,所述半导体加工设备还包括设置于所述腔室内的托板,所述托板与所述石英轴的顶端相连,用于承载待加工工件。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的