[发明专利]一种电荷捕获型非易失存储器及其制作方法

权利要求书

1.一种电荷捕获型非易失存储器的制作方法，其特征在于，包括：

执行步骤S1：在经过深阱注入的硅基衬底上依次进行预清洗、ONO层沉积、第一多晶硅沉积、硬掩模版氧化硅层沉积、多晶硅离子注入、预清洗、硬掩模板氮化硅层沉积，所述ONO层包括在所述硅基衬底上呈层叠设置的第一氧化物层、氮化物层及第二氧化物层；

执行步骤S2：第一光刻胶涂布显影，仅覆盖存储区处用于形成控制栅的顶部区域；

执行步骤S3：存储区的第一多晶硅经过干法刻蚀后形成存储区的控制栅，外围电路区的第一多晶硅同时被刻蚀去除，且刻蚀终止于所述ONO层的第二氧化物层，并通过氧化工艺在所述控制栅侧壁形成再氧化层；

执行步骤S4：氧化物各向同性刻蚀终止于ONO层的氮化物层；

执行步骤S5：第二光刻胶涂布显影，所述第二光刻胶覆盖外围低压器件区、外围高压器件区和边界区，并进行离子注入；

执行步骤S6：去除所述第二光刻胶后，通过湿法刻蚀分别去除有源区ONO层的氮化物层和第一氧化物层；

执行步骤S7：经过预清洗后，进行第一厚栅氧化层沉积；

执行步骤S8：第三光刻胶涂布显影露出外围低压器件区，通过湿法刻蚀去除外围低压器件区的第一厚栅氧化层；

执行步骤S9：去除第三光刻胶后，进行薄栅氧化层沉积，最终在所述外围低压器件区形成薄栅氧化层，外围高压器件区形成第二厚栅氧化层，存储区之非控制栅区域形成第二厚栅氧化层；

执行步骤S10：第二多晶硅沉积，所述第二多晶硅同时覆盖存储区、外围低压器件区、外围高压器件区和边界区，以用于形成存储区的选择栅和外围区的栅极；

执行步骤S11：第四光刻胶涂布显影，覆盖所述外围低压器件区、外围高压器件区和边界区中用于形成P型晶体管的区域，进行N型离子注入退火；

执行步骤S12：去除所述第四光刻胶，重新进行第五光刻胶涂布显影，所述第五光刻胶覆盖外围区用于形成栅极的第二多晶硅之顶部；

执行步骤S13：第二多晶硅刻蚀，同时形成存储区的侧墙型选择栅和外围区的栅极，经湿法刻蚀去除控制栅顶部的硬掩模版氮化硅层；

执行步骤S14：第五光刻胶涂布显影，所述第五光刻胶边界设置在所述控制栅之硬掩模版氧化硅层的顶部；

执行步骤S15：刻蚀去除控制栅之间的多晶硅，随后去除第五光刻胶，以形成存储区的控制栅、选择栅和外围区的栅极；

执行步骤S16：通过栅极侧墙沉积、栅极侧墙刻蚀工艺，形成栅极侧墙；

执行步骤S17：在所述选择栅、控制栅顶部、外围电路栅极顶部和有源区形成金属硅化物。

2.如权利要求1所述电荷捕获型非易失存储器的制作方法，其特征在于，所述电荷捕获型非易失存储器之选择栅和外围区栅极同时沉积、刻蚀形成。

3.如权利要求1所述电荷捕获型非易失存储器的制作方法，其特征在于，所述电荷捕获型非易失存储器通过自对准方法形成侧墙型选择栅。

4.如权利要求1所述电荷捕获型非易失存储器的制作方法，其特征在于，形成所述侧墙型选择栅时，所述控制栅顶部覆盖有硬掩模版。

5.如权利要求4所述电荷捕获型非易失存储器的制作方法，其特征在于，所述硬掩模版至少含有氮化硅层。

6.如权利要求5所述电荷捕获型非易失存储器的制作方法，其特征在于，所述氮化硅层在所述选择栅刻蚀后和所述控制栅一侧多晶硅刻蚀前去除。

7.如权利要求1～6中任一权利要求所述电荷捕获型非易失存储器的制作方法，其特征在于，所述硅基衬底上沉积的第一多晶硅的厚度为1000～1500埃，硬掩模版氧化硅层的厚度小于250埃，硬掩模版氮化硅层的厚度为500～1000埃。