[发明专利]导电复合膜、包含此膜的陶瓷镀膜方法及其采用的设备

说明书

本发明提供一种导电复合膜，包括依次设置的第一不活泼金属层、活泼金属层和第二不活泼金属层，中频电源在相应靶表面激发产生氩等离子体，氩离子轰击相应靶，在待镀膜产品上形成相应的膜层，结构精简、制备方法精简以及与陶瓷贴合性能好。本发明还提供一种陶瓷镀膜产品的陶瓷镀膜方法，包括在陶瓷上镀上述的导电复合膜，还包括装夹步骤、抽真空步骤、等离子体预处理步骤以及卸夹步骤，工艺精简、工艺参数容易控制以及性能好的陶瓷镀膜产品。本发明还提供一种用于上述镀膜方法的装置，各部件容易获得，且操作方便。

技术领域

本发明涉及电子技术领域，具体涉及一种导电复合膜、包含此膜层的陶瓷镀膜方法及其采用的设备。

背景技术

陶瓷手机和手表壳属于新兴产业，为了给其它零部件让出空间，减少机壳内部线路，需要在机壳内腔表面进行PVD镀膜。

传统技术中的镀膜方式应用于陶瓷上，出现以下缺陷：(1)膜层太厚，所占空间大；(2)膜层容易脱离。

因此，为了满足市场需求，开发一种适用于陶瓷且具有优异性能的膜层及贴膜工艺具有重要意义。

发明内容

本发明的第一目的在于提供一种结构精简、制备方法精简以及与陶瓷贴合性能好的导电复合膜，具体技术方案如下：

一种导电复合膜，包括依次设置的第一不活泼金属层、活泼金属层和第二不活泼金属层，所述第一不活泼金属层的获得方法是：中频电源在不活泼金属靶表面激发产生氩等离子体，氩离子轰击不活泼金属靶，在待镀膜产品上形成第一不活泼金属层；

所述活泼金属层的获得方法是：中频电源在活泼金属靶表面激发产生氩等离子体，氩离子轰击活泼金属靶，在第一铬层上形成活泼金属层；

所述第二不活泼金属层的获得方法是：中频电源在不活泼金属靶表面激发产生氩等离子体，氩离子轰击不活泼金属靶，在所述铝层上形成第二不活泼金属层。

以上技术方案中优选的，所述第一不活泼金属层为第一铬层，活泼金属层为铝层，第二不活泼金属层为第二铬层。

以上技术方案中优选的，所述第一铬层的厚度为2-8nm，所述铝层的厚度为3000-5000nm，所述第二铬层的厚度为30-50nm。

应用本发明的技术方案，效果是：(1)镀膜工艺步骤精简，工艺参数容易控制；(2)膜层厚度可控，满足不同的需求；单个膜层过厚会造成膜层间的附着力减弱，性能测试无法通过；本发明采用不活泼金属层和活泼金属层的结合，不活泼金属层比较稳定，能有效的保护活泼金属层，活泼金属层又是起关键作用的导电层，性能好；(3)膜层美观，且导电复合膜中的各层之间以及导电复合膜和载体之间的粘结能力强，镀膜后的产品性能好。

本发明的第二目的在于提供一种工艺精简、工艺参数容易控制以及性能好的陶瓷镀膜产品的陶瓷镀膜方法，具体技术方案如下：

一种陶瓷镀膜方法，包括在陶瓷上镀如上所述的导电复合膜。

以上技术方案中优选的，镀所述导电复合膜之前还包括装夹步骤、抽真空步骤以及等离子体预处理步骤，镀所述导电复合膜之后还包括卸夹步骤，具体是：

所述装夹步骤具体是：将陶瓷装夹在夹具上，置入镀膜装置中；

所述抽真空步骤具体是：将镀膜装置中放置有陶瓷的腔体进行抽真空；

所述等离子体预处理具体是：在抽真空后的镀膜装置的腔体中激发产生氩等离子体对陶瓷进行处理，活化陶瓷表面效果，让原子膜层更易沉积。磁控溅射方法是电磁波在一定频率下激活靶材，让原子沉积在陶瓷表面，抽真空是为了减少镀膜不良因素的干扰。

所述卸夹步骤具体是：将经过镀膜后的陶瓷进行暴空，并将镀好膜的陶瓷从夹具上拆下即得陶瓷产品；