[发明专利]氧化铝真空镀膜机

权利要求书

1.一种氧化铝真空镀膜机，其特征在于，所述氧化铝真空镀膜机包括：真空箱体、镀膜鼓、挡板、氮气输送机构、氧气输送机构以及铝源；

所述镀膜鼓、挡板、氮气输送机构、氧气输送机构以及铝源位于所述真空箱体内部，所述挡板分布于所述镀膜鼓的两侧，所述镀膜鼓部分地自两侧挡板之间的空间伸出，所述铝源位于所述镀膜鼓下方，所述铝源与所述镀膜鼓之间的空间形成蒸镀空间，所述氮气输送机构具有氮气输送口，所述氧气输送机构具有氧气输送口，所述氮气输送口和氧气输送口朝向所述蒸镀空间设置。

2.根据权利要求1所述的氧化铝真空镀膜机，其特征在于，所述镀膜鼓与两侧挡板之间具有间隙，所述间隙的尺寸大于所述镀膜鼓上卷绕的基材与基材上镀层的厚度之和。

3.根据权利要求2所述的氧化铝真空镀膜机，其特征在于，所述基材为塑料基材。

4.根据权利要求3所述的氧化铝真空镀膜机，其特征在于，所述塑料基材为PET、CPP以及OPP中的一种。

5.根据权利要求1所述的氧化铝真空镀膜机，其特征在于，所述氮气输送机构包括氮气输送管道以及设置于所述氮气输送管道上的第一控制阀，所述氮气输送管道的氮气输送口朝向所述蒸镀空间设置。

6.根据权利要求1所述的氧化铝真空镀膜机，其特征在于，所述氧气输送机构包括氧气输送管道以及设置于所述氧气输送管道上的第二控制阀，所述氧气输送管道的氧气输送口朝向所述蒸镀空间设置。

7.根据权利要求1所述的氧化铝真空镀膜机，其特征在于，所述氧化铝真空镀膜机还包括蒸发舟，所述蒸发舟位于所述镀膜鼓下方，所述铝源放置于所述蒸发舟中。

8.根据权利要求7所述的氧化铝真空镀膜机，其特征在于，所述蒸发舟的蒸发温度为1700℃～1800℃，所述镀膜鼓为低温镀膜鼓。

9.根据权利要求1所述的氧化铝真空镀膜机，其特征在于，所述铝源为铝丝。