[发明专利]一种基于近场光学技术的单分子DNA无损检测芯片在审
申请号: | 201710268352.9 | 申请日: | 2017-04-22 |
公开(公告)号: | CN107058082A | 公开(公告)日: | 2017-08-18 |
发明(设计)人: | 陈达;宗婧;李奇峰 | 申请(专利权)人: | 天津智巧数据科技有限公司 |
主分类号: | C12M1/34 | 分类号: | C12M1/34 |
代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所12201 | 代理人: | 陆艺 |
地址: | 300000 天津市东丽区金钟公*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 近场 光学 技术 分子 dna 无损 检测 芯片 | ||
技术领域
本发明属于生物分子检测技术领域,具体涉及一种基于近场光学技术的单分子DNA无损检测芯片。
背景技术
DNA测序技术,作为最重要的生物医学研究手段之一,对基因组学及其相关学科的发展起着至关重要的作用。而单分子无损测序技术是目前DNA测序技术的最新发展方向,在高速测序、长序列产出和低成本方面具有巨大的潜力。目前存在的DNA单分子测序技术大都基于纳米孔方法,即通过碱基与纳米孔摩擦产生的生物电以确定碱基顺序。然而生物电识别方式的特异性不高,抗干扰性差,造成单碱基识别错误率高。除此之外,现有的单分子DNA测序技术还存在以下几个缺点:(1)读长较小;(2)DNA碎片拼接错误率高;(3)速度较慢。因此,亟需一种新型高效的单分子DNA测序技术。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术的不足,提供一种高特异性、高读长、高准确率、高速测序的基于近场光学技术的单分子DNA无损检测芯片。
本发明的技术方案概述如下:
一种基于近场光学技术的单分子DNA无损检测芯片,包括氮化硅基板6,在氮化硅基板上表面设置有凹槽,凹槽从左到右依次由矩形的DNA分子样品池1、渐窄坑道2、窄坑道3、渐宽坑道4和矩形的废液池5连接组成,在窄坑道3之上搭载有氧化石墨烯膜7(跨桥结构),在氧化石墨烯膜7的左右两端分别设置有第一金纳米粒子单层膜8和第二金纳米粒子单层膜9(天窗结构),电极A设置在矩形的DNA分子样品池1内,电极B设置在矩形的废液池5内,电极A和电极B分别通过导线与电源相连接。
优选地,矩形的DNA分子样品池的宽度为100nm,窄坑道的宽度为10nm,废液池的宽度为100nm。
第一金纳米粒子单层膜和第二金纳米粒子单层膜之间的缝隙10的尺寸为0.45-0.65nm。本发明的优点:
(1)本发明利用氧化石墨烯膜,可以有效借助分子间的π-π作用而对DNA分子的单碱基进行精细捕获,限制其热力学及动力学的随机性,确保针尖增强拉曼光谱系统以近100%捕获效率采集到单个碱基信息,极大提高检测系统的响应速度和精度。
(2)本发明可以高效地控制DNA的运动流向及精确输入检测区域。
(3)氧化石墨烯与单碱基形成的局域场π-π作用,可有效地提高单碱基拉曼散射截面,从而增强拉曼信号;在此基础上,通过π-π电子作用可极大增强局域场内的电子云密度,能够在等离子域空间内形成更强的TERS效应。
(4)采用氧化石墨烯为光透导体,上面覆盖金纳米粒子单层膜,可在有效屏蔽针尖对单碱基的电场影响的同时,不影响近场光谱的采集。
(5)由于目前针尖增强拉曼光谱系统普遍的分辨率为20nm,本发明使用具有跨桥结构的石墨烯捕获带(即氧化石墨烯膜7横跨窄坑道3搭载在氮化硅基板上,)以进一步提升针尖增强拉曼光谱系统的空间分辨率;该捕获带采用金纳米粒子单层膜覆盖氧化石墨烯膜,以原子力显微镜操纵的方式留出0.45nm-0.65nm的天窗(第一金纳米粒子单层膜和第二金纳米粒子单层膜之间的缝隙)以匹配单碱基的空间距离,进而将针尖增强拉曼光谱的分辨率提升为0.55nm左右,从而可以识别单碱基。
附图说明
图1为本发明一种基于近场光学技术的单分子DNA无损检测芯片的主视示意图。
图2为本发明一种基于近场光学技术的单分子DNA无损检测芯片的俯视示意图。
具体实施方式
下面通过附图对本发明作进一步的说明。
一种基于近场光学技术的单分子DNA无损检测芯片(见图1,图2),包括氮化硅基板6,在氮化硅基板上表面设置有凹槽,凹槽从左到右依次由矩形的DNA分子样品池1、渐窄坑道2、窄坑道3、渐宽坑道4和矩形的废液池5连接组成,在窄坑道3之上搭载有氧化石墨烯膜7,在氧化石墨烯膜7的左右两端分别设置有第一金纳米粒子单层膜8和第二金纳米粒子单层膜9,电极A设置在矩形的DNA分子样品池1内,电极B设置在矩形的废液池5内,电极A和电极B分别通过导线与电源相连接。
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