[发明专利]一种基于近场光学技术的单分子DNA无损检测芯片在审
| 申请号： | 201710268352.9 | 申请日： | 2017-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN107058082A | 公开（公告）日： | 2017-08-18 |
| 发明（设计）人： | 陈达;宗婧;李奇峰 | 申请（专利权）人： | 天津智巧数据科技有限公司 |
| 主分类号： | C12M1/34 | 分类号： | C12M1/34 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所12201 | 代理人： | 陆艺 |
| 地址： | 300000 天津市东丽区金钟公*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 近场 光学 技术 分子 dna 无损 检测 芯片 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于近场光学技术的单分子DNA无损检测芯片，包括氮化硅基板(6)，在氮化硅基板上表面设置有凹槽，其特征是所述凹槽从左到右依次由矩形的DNA分子样品池(1)、渐窄坑道(2)、窄坑道(3)、渐宽坑道(4)和矩形的废液池(5)连接组成，在窄坑道(3)之上搭载有氧化石墨烯膜(7)，在氧化石墨烯膜(7)的左右两端分别设置有第一金纳米粒子单层膜(8)和第二金纳米粒子单层膜(9)，电极A设置在矩形的DNA分子样品池(1)内，电极B设置在矩形的废液池(5)内，电极A和电极B分别通过导线与电源相连接。
2.根据权利要求1所述的一种基于近场光学技术的单分子DNA无损检测芯片，其特征是所述矩形的DNA分子样品池的宽度为100nm，所述窄坑道的宽度为10nm，所述废液池的宽度为100nm。
3.根据权利要求1所述的一种基于近场光学技术的单分子DNA无损检测芯片，其特征是第一金纳米粒子单层膜和第二金纳米粒子单层膜之间的缝隙(10)的尺寸为0.45-0.65nm。
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