[发明专利]显示装置

说明书

本发明涉及显示装置。本发明的技术课题为可以在同一基板内形成LTPS TFT和TAOS TFT。其为包含具有形成有像素的显示区域的基板的显示装置，其特征在于，所述像素包含使用了TAOS的第一TFT，在所述第一TFT的漏极上形成有第一LTPS(112)，在所述第一TFT的源极上形成有第二LTPS(113)，所述第一LTPS(112)经由在覆盖所述第一TFT的绝缘膜(105)中形成的第一通孔(108)而与第一电极(106)连接，所述第二LTPS(113)经由在覆盖所述第二TFT的绝缘膜中形成的第二通孔(108)而与第二电极(107)连接。

技术领域

本发明涉及显示装置，涉及使用混合式(hybrid)结构(其利用使用Poly-Si(多晶硅)的TFT和使用氧化物半导体的TFT这两者)的显示装置。

背景技术

对于液晶显示装置而言，其构成为：具有TFT基板、与TFT基板相对地配置的对置基板，并在TFT基板与对置基板之间夹持液晶，所述TFT基板中具有像素电极及薄膜晶体管(TFT)等的像素以矩阵状形成。并且，按每个像素来控制基于液晶分子的光的透过率，从而形成图像。

由于LTPS(Low Temperature Poly-Si：低温多晶硅)迁移率高，因此适合作为驱动电路用TFT。另一方面，氧化物半导体的OFF电阻高，若将其用于TFT，则能够减小OFF电流。

为了将利用LTPS的TFT和利用氧化物半导体的TFT形成于同一基板上，存在各种需要克服的问题。专利文献1中记载了用于将利用LTPS的TFT和使用了氧化物半导体的TFT形成于同一基板上的构成。专利文献1中，记载了将掺杂了的LTPS用作氧化物半导体的栅极的构成。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：WO2015/194419

发明内容

发明要解决的问题

关于作为像素的开关而使用的TFT，需要漏电流小。利用透明氧化物半导体的TFT能够减小漏电流。以下，将透明氧化物半导体称为TAOS(Transparent Amorphous OxideSemiconductor，透明无定形氧化物半导体)。TAOS包括IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide：氧化铟镓锌)、ITZO(Indium Tin Zinc Oxide：氧化铟锡锌)、ZnON(Zinc Oxide Nitride：氮氧化锌)、IZO(Indium Zinc Oxide：氧化铟锌)、IGO(Indium Gallium Oxide：氧化铟镓)、ZnO(Zinc Oxide：氧化锌)等。但是，TAOS的载流子的迁移率小，因此有时难以用使用了TAOS的TFT来形成内置于显示装置内的驱动电路。以下，TAOS也用于指使用了TAOS的TFT的意思。

另一方面，由LTPS形成的TFT的迁移率大，因此能够通过使用了LTPS的TFT来形成驱动电路。以下，LTPS也用于指使用了LTPS的TFT的意思。但是，在将LTPS用作像素中的开关TFT的情况下，LTPS的漏电流大，因此，通常将2个LTPS串联使用。

因此，若作为显示区域中的像素的开关元件而使用TAOS、而在周边驱动电路的TFT中使用LTPS，则是合理的。但是，对于LTPS和TAOS而言，由于材料的性质不同，因此对于将其形成于同一基板上而言，存在问题。即，在LTPS上形成源电极和漏电极时，为了除去表面氧化物，需要用氢氟酸(HF)清洗LTPS，但由于TAOS因氢氟酸(HF)而溶解，因此不能使用同一工序。

本发明通过解决如上所述的问题，从而能够实现将利用LTPS的TFT与利用TAOS的TFT形成于同一基板上。

用于解决问题的手段

本发明克服上述问题，具体手段如下所述。