[发明专利]显示装置

权利要求书

1.一种显示装置的制造方法，所述显示装置具有半导体层使用氧化物半导体的第一TFT、和半导体层使用多晶硅的第二TFT及第三TFT，所述显示装置的制造方法的特征在于，

在基板上形成了非晶硅之后转换为多晶硅，

其后通过光刻而将所述多晶硅同时形成为多个所述第二TFT及第三TFT的半导体层和所述第一TFT的源电极座和漏电极座，

进一步在所述第二TFT的半导体层整体和所述第三TFT的半导体层的沟道部形成第一抗蚀剂，进行第一离子注入而向由所述第一抗蚀剂被覆以外的部分掺杂磷，

其后，剥离所述第一抗蚀剂，在配置所述第一TFT的部分形成氧化物半导体层，

进一步在整面形成了栅极绝缘膜之后，在所述第一TFT、第二TFT及第三TFT分别形成第一栅电极、第二栅电极和第三栅电极，

其后将所述第一栅电极、第二栅电极和第三栅电极作为掩模而进行第二离子注入掺杂磷，

进一步用第二抗蚀剂覆盖所述第一TFT和所述第三TFT，以所述第二栅电极和所述第二抗蚀剂作为掩模进行第三离子注入而向所述第二TFT的半导体层掺杂硼，

其后剥离所述第二抗蚀剂，在形成了层间绝缘膜之后，在该层间绝缘膜开设通孔，形成源电极和漏电极。

2.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其特征在于，

在所述基板上形成所述非晶硅之前，形成基膜。

3.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其特征在于，

所述氧化物半导体为IGZO、ITZO、ZnON、IZO、IGO、ZnO中的任一者。

4.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其特征在于，

所述氧化物半导体以10nm～100nm范围的膜厚形成。

5.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其特征在于，

在开设了所述通孔之后、形成所述漏电极和源电极之前，为了除去所述多晶硅的表面氧化膜而进行氢氟酸清洗。

6.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其特征在于，

所述显示装置为液晶显示装置。

7.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其特征在于，

所述显示装置为有机EL显示装置。

8.一种显示装置的制造方法，所述显示装置具有半导体层使用氧化物半导体的第一TFT、和半导体层使用多晶硅的第二TFT及第三TFT，所述显示装置的制造方法的特征在于，

在基板上形成了非晶硅之后转换为多晶硅，

其后通过光刻而将所述多晶硅同时形成为多个所述第二TFT及第三TFT的半导体层和所述第一TFT的源电极座和漏电极座，

进一步在所述第二TFT的半导体层整体和所述第三TFT的半导体层的沟道部形成第一抗蚀剂，进行第一离子注入而向由所述第一抗蚀剂被覆以外的部分掺杂磷，

其后，剥离所述第一抗蚀剂，在配置所述第一TFT的部分形成氧化物半导体层，

进一步在整面形成了栅极绝缘膜之后，在所述第一TFT、第二TFT及第三TFT分别形成第一栅电极、第二栅电极和第三栅电极，

其后将所述第一栅电极、第二栅电极和第三栅电极作为掩模而进行第二离子注入掺杂磷，

进一步用第二抗蚀剂覆盖所述第一TFT的所述氧化物半导体层、包含所述源电极座和所述漏电极座的任意一方的部分以及所述第三TFT，以所述栅电极和所述第二抗蚀剂作为掩模进行第三离子注入而向所述第二TFT的半导体层及以所述源电极座和所述漏电极座的任意另一方掺杂硼，

其后剥离所述第二抗蚀剂，在形成了层间绝缘膜之后，在该层间绝缘膜开设通孔，形成源电极和漏电极。

9.根据权利要求8所述的显示装置的制造方法，其特征在于，所述显示装置为液晶显示装置。

10.根据权利要求8所述的显示装置的制造方法，其特征在于，所述显示装置为有机EL显示装置。