[发明专利]半导体封装件和形成该半导体封装件的方法

说明书

公开了一种半导体封装件和形成该半导体封装件的方法。所述半导体封装件包括：第一半导体芯片，包括第一硅通孔(TSV)；第二半导体芯片，堆叠在第一半导体芯片上，并且包括第二TSV；非导电膜，形成在第一半导体芯片与第二半导体芯片之间。非导电膜包括具有不同粘度的两层。

本申请要求于2016年7月6日提交到韩国知识产权局的第10-2016-0085595号韩国专利申请的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。

技术领域

发明构思涉及一种半导体封装件，更具体地，涉及包括硅通孔(TSV)的半导体封装件。

背景技术

随着电子工业和用户需求的快速发展，电子装置已经缩小并且变得更轻。另外，在电子装置中使用的半导体封装件不仅需要缩小尺寸和更轻，而且需要高效率和具有更高的容量。为此，已经对包括TSV的半导体芯片和堆叠的半导体封装件进行了持续的研究。

发明内容

根据发明构思的一方面，提供了一种半导体封装件，该半导体封装件包括第一半导体芯片、第二半导体芯片和非导电膜。第一半导体芯片包括第一硅通孔(TSV)。第二半导体芯片堆叠在第一半导体芯片上并且包括第二TSV。非导电膜设置在第一半导体芯片与第二半导体芯片之间并且包括具有不同粘度的两层。

根据发明构思的另一方面，提供了一种半导体封装件，该半导体封装件包括基础基底、至少两个垂直堆叠的半导体芯片和非导电膜。该至少两个半导体芯片安装在基础基底上。每个半导体芯片包括硅通孔。非导电膜设置在半导体芯片之间并且包括具有不同粘度的至少两个层。

根据发明构思的另一方面，提供了一种半导体封装件，该半导体封装件包括：第一半导体芯片；第二半导体芯片，堆叠在第一半导体芯片上；非导电膜，形成在第一半导体芯片与第二半导体芯片之间，其中，非导电膜包括垂直地堆叠并且具有不同粘度的至少两部分。

一种形成半导体封装件的方法，该方法包括：设置具有第一半导体芯片的半导体晶圆，第一半导体芯片均具有第一硅通孔(TSV)；在包括第一半导体芯片的晶圆上形成非导电膜，非导电膜包括至少两层，所述至少两层均具有彼此不同的粘度；在非导电膜上设置与第一半导体芯片对应的第二半导体芯片，第二半导体芯片均具有第二TSV。

附图说明

通过结合附图的下面的详细描述，将更加清楚地理解发明构思的实施例，在附图中：

图1是根据实施例的半导体封装件的剖视图；

图2是图1中示出的非导电膜的示意性剖视图；

图3是图1的示出了半导体封装件的一部分的部分III的放大的剖视图；

图4是根据实施例的半导体封装件的剖视图；

图5是图4中示出的非导电膜的示意性剖视图；

图6是根据实施例的半导体封装件的剖视图；

图7是根据实施例的半导体封装件的剖视图；

图8是根据实施例的半导体封装件的剖视图；

图9A至图9I是根据实施例的制造半导体封装件的方法的工艺操作的剖视图；以及

图10是根据实施例的半导体封装件的构造的示意图。

具体实施方式

如这里使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项目的任何组合和所有组合。当诸如“……中的至少一个(种)”的表述位于一列元件(要素)之后时，修饰整列的元件(要素)，而不是修饰该列中的个别元件(要素)。

现在，在下文中将参照示出了实施例的附图对发明构思进行更加充分的描述。

图1是根据实施例的半导体封装件10的剖视图。